那就不能不認識俗稱第三代半導體的寬能隙半導體GaN氮化鎵、SiC碳化矽,除了提升3C充電器的效率、降低體積,也是電動車、再生能源的提升效率的關鍵! 這集《綠色科技充電站》邀請台達新事業發展管理處資深顧問翁暢鴻,從半導體基本的特性和應用開始,並深入介紹寬能隙半導體GaN氮化鎵、SiC碳化矽作為功率半導體的應用及優勢。
與傳統的矽技術相比,SiC和氮化鎵(GaN)半導體材料顯現卓越的性能,使功率元件能夠在高電壓尤其是高溫和高開關頻率下工作。功率電子系統的設計人員正努力研究如何充分利用GaN和SiC元件的優勢。 矽早已是大多數電子應用中的關鍵半導體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現在已開始被多種應用採納,特別是電動車(EV),以應...