在多晶硅生产过程中掺入的硼含量越高,多晶硅中的硅原子会被更多的硼原子所替代,因此导致多晶硅中的硼含量会变得较高。此外,在多晶硅生产过程中,硼的掺入通常会在高温下进行,这也增加了硼在多晶硅中扩散的可能性,导致硼含量的升高。 总之,多晶硅掺杂后硼为什么会高主要是因为硼掺杂能够在多晶硅中引入自...
其中样品多晶硅层硼掺杂浓度达到1.40ˑ1020cm -3,隐开路电压(i V oc )大于720.0mV㊂依据该参数制备的TOPCon 电池光电转换效率可达23.89%,对应的短路电流密度为39.36mA /cm 2,开路电压(V oc )达到726.4mV,填充因子(FF)为83.54%㊂关键词:TOPCon 电池;钝化接触;硼扩散;钝化;电流密度;光电转换效率 ...
本发明提供了一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法,该方法为:选取硅靶材和硼靶材,将硅靶材,硼靶材和处理后的基板放入真空系统中,抽真空至1.0×10Pa,基板温度为600～700℃,基板与靶材间距离为3～5cm;用激光器发射激光,控制频率为1～4Hz,溅射1～3小时;最后将薄膜在800～900℃下退火1～3h,得硼掺杂多晶硅...
掺杂温度本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂LPCVD多晶硅薄膜电阻率的温度特性.在室温～450℃较高温度范围,实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值,理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度,理论分析与实验结果相符合.通过对影响薄膜电阻率温度特性诸因素的分析讨论,提出了减小多晶硅薄膜电阻温度系数的...
本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂LPCVD多晶硅薄膜电阻率的温度特性.在室温~450℃较高温度范围,实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值,理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度,理论分析与实验结果相符合.通过对影响薄膜电阻率温度特性诸因素的分析讨论,提出了减小多晶硅薄膜电阻温度系数的最佳途径.do...
多晶硅晶界势垒转折温度AIN基片掺杂研究了AlN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性.实验发现,膜电阻率随温度变化呈现出从NTC过渡到PTC的U型特性,转折温度TM的位置依赖工艺条件的变化.理论分析表明:晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值,极小值对应的转折温度正比于晶界势垒.何进杨传仁CNKI电子科技大学学报...
AIN基片掺杂研究了AlN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性.实验发现,膜电阻率随温度变化呈现出从NTC过渡到PTC的U型特性,转折温度TM的位置依赖工艺条件的变化.理论分析表明:晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值,极小值对应的转折温度正比于晶界势垒.doi:10.1088/0256-307X/16/12/013何进电子科技大学微...
多晶硅晶界势垒转折温度AIN基片掺杂研究了AlN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性.实验发现,膜电阻率随温度变化呈现出从NTC过渡到PTC的U型特性,转折温度TM的位置依赖工艺条件的变化.理论分析表明:晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值,极小值对应的转折温度正比于晶界势垒.何进杨传仁CNKI电子科技大学学报...