硫化铟(In₂S₃)是一种Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体,其本征导电类型主要由晶体缺陷和化学计量比决定。未掺杂的硫化铟通常表现为n型半导体,原因是硫空位(VS)和间隙铟(Ini)等本征缺陷会提供自由电子。例如,文献(Journal of Applied Physics, 2018)指出,化学气相沉积法制备的硫化铟薄膜载流子浓度为1...
硫化铟是一种具有极高潜在利用价值的半导体材料,可作为CIGS薄膜太阳能电池的缓冲层材料,并有望作为Cds缓冲层的替代材料,在光伏与光电器件上有很好的应用前景。硫化铟作为低危害性缓冲材料,具有宽带隙(2.2 eV)和易合金化条件等特性,可作为纯红色 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 量子点的壳层候选材料。在常温常压下比较稳定,属于立方晶系...
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中文名称:5N硫化铟;99.999%硫化铟;三硫化二铟英文名称:Indium Sulfide CAS:12030-24-9品牌:四川六族半导体 产地:四川保存条件:常温惰性气体保护 纯度规格:99.999%产品类别:半导体化合物 颜色/外观:红色别名:三硫化二铟 分子式:In2S3执行质量标准:企标
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硫化铟是一种典型的半导体材料。半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间,它们具有特殊的电子结构,使得在一定条件下能够表现出导电性。硫化铟的半导体特性主要源于其内部的电子结构和能带结构。通过控制硫化铟的掺杂和晶格结构,可以实现对其导电性能的有效调控。 二、硫化铟的应用领域 硫化铟的...
一、硫化铟的催化类型及特性 硫化铟是一种广泛应用于光催化和非光催化反应中的催化剂。根据研究表明,硫化铟不仅可作为光催化剂,也可作为助催化剂。研究发现,硫化铟的光催化效果主要体现在可见光区域下,主要是通过光生电荷对的分离来起到催化作用的;而在非光催化反应中,硫化铟的助催化作用主要体现在其...
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