硒化银的带隙

2025-02-17 10:57:37

拼音 [ 拼音 ]

简拼 [ 简拼 ]

含义

• 如何制作硒化银带隙0.02eV到0.03eV?最高做成片状,或者完成镀膜...

  准确测定带隙值，以便及时调整制备参数，确保最终产品带隙落在0.02 eV到0.03 eV范围内。

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