TEFD4300F硅PIN光电二极管红外线接收管 3MM 角度±20°波长950nm 深圳市佰典旺科技有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥120.00 OSI PIN-3CDP 970nm 可见光红外探测器 硅光电二极管 TO-18 深圳市瑞洋电子商务有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 ...
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倏逝波导耦合型PIN结光电探测器可以分为纵向和横向PIN结构。纵向PIN结构的器件,结平面与器件表面平行,制备工艺简单,与其他硅基光电子器件兼容性好,应用比较广泛。中科院半导体研究所通过自行设计的UHV/CVD研制出具有25通道的硅基波分复用集成光接收芯片,其中的硅基锗探测器采用纵向PIN结构,结构示意图如图3(a)所示。
FPD510系列是一款硅的高速、带放大的自由空间光耦合光电探测器模块,波长范围:400-1100nm,带宽:200Mhz-500Mhz,设计用于各种空间弱光信号探测,快速空间激光脉冲,空间光通信,激光雷达等应用。 此装置集成了一个高性能Si PIN光电二极管,非常适用于评估脉冲激光器和高频率调制应用。此型号在输入范围内线性良好,从而具有低...
探测器材料 InGaAs 探测器材料-底层 InGaAs 光敏尺寸 Ø2 mm 光敏尺寸-底层 Ø2 mm 响应波长-峰值 1550 nm 响应度-峰值 1A/W 响应波长-底层 1650m 响应度-底层 0.15A/W 封装 TO-5 封装类型 TO 引脚数 4 可售卖地 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽...
硅光电探测器是一种基于硅材料的光电转换器件,利用硅的光电效应将光信号转化为电信号。其工作原理可以概括为以下几个步骤: 光吸收:当光线照射到硅光电探测器上时,光子能量被硅材料吸收。 电子激发:吸收的光能将硅中的电子激发到能带中的导带,形成电子空穴对。
探测器材料 硅Si 探测器材料-底层 硅Si 光敏尺寸 Ø2.54 mm 光敏尺寸-底层 Ø2.54 mm 响应波长-峰值 950 nm 响应度-峰值 0.45A/W 响应波长-底层 1060 nm 响应度-底层 0.12A/W 封装 TO-5 封装类型 TO 引脚数 4 可售卖地 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏...
发货地 上海 商品类型 电子元器件 、 传感器 、 敏感元件 商品关键词 PIN、 DSS、 波长探测器 商品图片 商品参数 品牌: OSI Optoelectronics 数量: 80000 探测器材料: 硅Si 探测器材料-底层: 硅Si 光敏尺寸: Ø2.54 mm 光敏尺寸-底层: Ø2.54 mm 响应波长-峰值: 950 nm 响应度-峰值: 0.45...