我国科研团队成功研发“硅--石墨烯--锗晶体管”,代表着我国在这一尖端科技领域走在了世界的前列。(1)碳元素在元素周期表中的位置是第___周期、第ⅣA族。(2)硅元
首次制备出以“肖特基结”作为发射结的垂直结构的硅-石墨烯-锗晶体管。
2二、问答题9.我国科研团队成功研发“硅-石墨烯-锗晶体管”,代表着我国在这一尖端科技领域走在了世界的前列。(1)碳元素在元素周期表中的位置是第周期、第ⅣA族。(2)硅元素最高价氧化物的化学式为(3)Si的非金属性弱于S的,用原子结构解释原因:Si和S在同一周期,原子核外电子层数相同,原子半径 Si大于S,得...
中国科学院一硅-石墨烯-锗完美组合，解决了这一难题，为芯片制造向1纳米乃至皮米技术方向发展提供了可能性。同时，石墨烯芯片成功研制，也宣布了中国制造的能力不断提升。正像有些评论的那样，这不仅仅是小小芯片的问题，是我国整体科技水平的提升问题。这也展示了一个了不起的负责任大国的科技实力！
硅石墨烯锗晶体管是一种新型晶体管材料,由硅、石墨烯和锗三种材料组成。它拥有石墨烯高电导率、硅的优良特性和锗的高载流子迁移率等多种优点,是一种性能非常优秀的晶体管材料。 二、硅石墨烯锗晶体管的杂化方案 硅石墨烯锗晶体管的制备有多种方法,其中,杂化方案是一种常见的制备方法...
我国科研团队首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的硅(Si)—石墨烯(C)—锗(Ge)高速晶体管,代表我国在这一尖端科技领域走在了世界的前列。下列说法错误的是 A. 上述三种元素都位于周期表中ⅣA族 B. 73Ge和 75Ge互为同素异形体 C. 硅在自然界中的存在形式只有化合态 D. 锗与硅都可用作半导体材料 ...
硅石墨烯锗晶体管(SiGe MOSFET)是一种高性能、低功耗的晶体管,具有广泛的应用前景。该晶体管是通过在硅基底上嵌入锗原子,形成具有不同特性的硅锗材料来制造的。 在SiGe MOSFET中,硅原子的杂化方式对晶体管的性能影响很大。下面我们将详细介绍硅原子的杂化方式及其作用。 二、...
我国科研团队首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的硅-石墨烯-锗高速晶体管,代表我国在这一尖端科技领域走在了世界的前列。下列有关锗的说法错误的是( ) A. 锗
中科院研发硅-石墨烯-锗晶体管而石墨烯就是目前超导材料的最佳选择之一此次中科院的科研人员能攻克硅石墨烯锗晶体管这种尖端器件石墨烯的作用自然不可小觑也正是加入了石墨烯才使得晶体管的延迟时间极大降低同时拥有了在太赫兹领域工作的能力其为今后超高速晶体管的诞生打下了坚实的基础对于日后半导体电子行业晶体管的...