室温下,施主浓度为的n型硅及铝形成金属及半导体接触,的功函数为,的电子亲和能为4.05g/m。已知,,,。(1)计算硅的功函数。(2)试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图,并标明半导体表面势的数值。(3)判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。(12分) ...
求ND=1017cm-3的n型硅在室温下的功函数。若不考虑表面态的影响,它分别同Al、Au、Mo接触时,形成阻挡层还是反阻挡层?硅的电子亲和能取4.05ev。 答案 解:设室温下杂质全部电离,则其费米能级由n=ND=51015cm-3求得:其功函数即为:Ws=X+(Ec-E)=4.05+0.15=4.20eV若将其与功函数较小的Al(WAl=4.18eV...
【题目】铝栅MOS结构,p型硅的杂质浓度 N_A=1.5*10^(16)cm^(-3) ,二氧化硅层厚为1000A,硅的功函数 W_s=4.97eV ,铝的功函数 W_A=4.2eV ,二氧化硅与p型硅之间界面处单位面积的固定正电荷数目 Q_k/q=5*10^(10)cm^(-2) ,计算当 V_G=0 时半导体表面处于什么状态。
硅功函数是半导体器件物理性质的一个重要参数,在半导体器件的设计和制造中起着重要的作用。 硅功函数的表达式为: Eg(T) = Eg(0) - a*T^2 / (T+b) 其中,Eg(0) 是硅在 0 度时的功函数,a 和 b 是常数。这个表达式表示硅功函数随着温度的升高而减小。 硅功函数对半导体器件的性能有很大的影响。例如...
1. 实验测量:通过实验手段测量硅的电子亲和能和真空能级的位置。2. 理论计算:结合能带理论计算硅的费米能级位置。3. 计算功函数:将实验测量得到的电子亲和能和理论计算得到的费米能级位置相加,得到硅的功函数值。具体来说,实验测量通常采用光电子能谱(UPS)或者X射线光电子能谱(XPS)等技术,这些技术能够提供材料...
通过调控硅的功函数,可以优化器件的性能,提高光电转换效率,实现更高效、更环保的能源利用。 1. 电子器件:硅功函数调控可以优化场效应晶体管、金属-绝缘体-半导体场效应晶体管等电子器件的性能,提高其工作效率和稳定性。 2. 太阳能电池:硅功函数调控可以提高太阳能电池的光...
硅得电子亲与能取4、05ev。 相关知识点: 试题来源: 解析 解:设室温下杂质全部电离,则其费米能级由n=ND=51015cm3、求得: 其功函数即为: 若将其与功函数较小得Al(WAl=4、18eV)接触,则形成反阻挡层,若将其与功函数较大得Au(WAu=5、2eV)与Mo(WMo=4、21eV)则形成阻挡层。
问答题室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。计算硅Si的功函数。 参考答案: 您可能感兴趣的试卷 你可能感兴趣的试题 参考答案: ...
受主浓度的型硅室温下的功函数是多少若不考虑界面态的影响它分别同功函数为功函数为接触时形成阻挡层还是反阻挡层锗的电子亲和能为
硅的电子亲合能取4.05eV。设W Al =4.18eV,W Au =5.20eV,W Mo =4.21eV。室温下硅的N c =2.8x10 19 cm -3 。相关知识点: 试题来源: 解析 设 室温下杂质全部电离 则故即故n-Si的功函数为 因 ,故二者接触形成反阻挡层 又 ,显然 故 接触形成阻挡层。