硅片清洗工艺的原理可以分为物理清洗和化学清洗两个方面。 物理清洗主要是通过机械力和流体力的作用,去除硅片表面的颗粒、尘埃等杂质。常见的物理清洗方法有超声波清洗、喷洗清洗和旋转清洗等。其中,超声波清洗是一种利用超声波的高能量和高频率振动来产生液体中的微小气泡,从而形成强大的冲击力和剥离力,将硅片表面的...
硅片清洗工艺的基本原理是“机械冲洗、化学反应、物理吸附和溶解析出”。其中机械冲洗可去除表面的大颗粒、化学反应则是通过制定合理的清洗配方、安排合理的清洗流程、选择适当的工艺设备,不断优化清洗条件,使硅片表面的污染得到有效清除;物理吸附可以进一步去除较小的污染物,如有机物等;溶解析出是通过使用某种...
1. 刷洗或擦洗：这种方法能够去除颗粒污染和大部分粘附在硅片上的薄膜。2. 高压清洗：利用液体喷射硅片表面，喷嘴的压力可达到几百个大气压。高压清洗依靠喷射作用，不会轻易划伤或损伤硅片。然而，高压喷射可能产生静电作用，可以通过调节喷嘴与硅片的距离、角度或添加防静电剂来避免。3. 超声波清洗：超声...
太阳能电池硅片氢氟酸清洗工艺原理是利用氢氟酸对硅片进行化学反应,从而去除表面的氧化层和杂质。 The principle of hydrofluoric acid cleaning process for solar cell silicon wafers is to use hydrofluoric acid to chemically react with silicon wafers, thereby removing the surface oxide layer and impurities. 在...
硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类: A. 有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。 B. 颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去