即:晶体生长过程中必然形成的氧沉淀)入手来增强后续热处理过程的氧沉淀的机理,不同于常规的MDZ内吸杂工艺,本发明的内吸杂工艺中创造性地引入充分消融原生氧沉淀并注入空位的高温预处理步骤,从而大大缩短了后续热处理的时间,大幅度提高了制得的大直径直拉硅片的内吸杂能力。
大直径直拉硅片由于晶体生长的热历史很长,因此往往存在较多的原生氧沉淀(即:在晶体生长过程中必然形成的氧沉淀),若内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理,则在硅片体内形成的氧沉淀及其诱生缺陷的密度较低,导致硅片的吸杂能力不理想。利用本发明的工艺,可以在硅片体内形成高密度的氧沉淀及其诱生缺陷,并在硅片...
超大规模集成电路硅片的内吸杂
摘要 本发明的具有内吸杂功能的掺碳硅片,其氧浓度为5~15×1017cm-3,碳浓度为5~30×1016cm-3。制备步骤如下:1)采用直拉法生长晶体,通过控制晶体生长过程中工艺参数得到氧浓度为5~15×1017cm-3,碳浓度为5~30×1016cm-3的掺碳硅片;2)将氧浓度为5~15×1017cm-3,碳浓度为5~30×1016cm-3的掺碳硅片于热...
本发明公开了一种直拉硅片的内吸杂工艺,包括:(1)在氮气氛下,将直拉硅片以50～100℃/秒的速率升温至1200～1250℃,维持30～150秒,然后以5～50℃/秒的速率冷却至800～1000℃,接着自然冷却;(2)将经步骤(1)处理后的直拉硅片在氩气氛下于800～900℃退火8～16小时.本发明仅包含两步热处理工艺,所需温度和时间...
摘要 本发明公开了一种直拉硅片的内吸杂工艺,包括:(1)在氮气氛下,将直拉硅片以50~100℃/秒的速率升温至1200~1250℃,维持30~150秒,然后以5~50℃/秒的速率冷却至800~1000℃,接着自然冷却;(2)将经步骤(1)处理后的直拉硅片在氩气氛下于800~900℃退火8~16小时。本发明仅包含两步热处理工艺,所需温度和时...
一种直拉硅片的内吸杂工艺专利信息由爱企查专利频道提供,一种直拉硅片的内吸杂工艺说明:本发明的直拉硅片内吸杂工艺,步骤如下:首先将热处理炉升温到600-800℃之间,利用氮气、氧气或氩气...专利查询请上爱企查
(54)发明名称一种直拉硅片的内吸杂工艺(57)摘要本发明的直拉硅片内吸杂工艺,步骤如下:首先将热处理炉升温到600-800℃之间,利用氮气、氧气或氩气作为保护气,然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉,再将热处理炉的温度以1-3℃/分的速度逐渐上升到1100-1200℃之间,并在该温度保温热处理2-16小时,最后,硅单晶片随热...
本发明的直拉硅片内吸杂工艺,步骤如下:首先将热处理炉升温到600-800℃之间,利用氮气、氧气或氩气作为保护气,然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉,再将热处理炉的温度以1-3℃/分的速度逐渐上升到1100-1200℃之间,并在该温度保温热处理2-16小时,最后,硅单晶片随热处理炉冷却至850℃温度以下,被缓缓取出热处理炉。本...
摘要 本发明公开了重掺硼直拉硅片的基于快速热处理的内吸杂工艺,步骤如下:1)将重掺硼硅片清洗后先在氩气氛下于1200-1280℃热处理5-50秒,然后保持温度不变,将处理气氛变换成氧气,继续热处理5-50秒,最后在氧气氛下冷却;或者先在氩气氛下于1200-1280℃热处理5-50秒,冷却后,再在氧气氛下于1200-1280℃热处理...