本标准根据行业内硅外延层载流子浓度的实际测试情况,结合我国半导体行业的发展现状制定而成。本标准修订了标准适用范围、标准引用,按测试方法的不同分别对“汞探针电容-电压法”和“空气电容电压法”加以说明。其中,原标准中的“汞探针电容-电压法”,主要修订干扰因素、增加臭氧表面处理等项;“空气电容电压法”,做为新...
外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍 硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测 , 。 试也可以参照本文件进行 其中无接触电容 电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试 - 2 规范性引用文件 。 , 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 其中 注日期的引用文 , ;...
本文件规定了电容-电压法测试硅外延层载流子浓度的方法,包括汞探针电容-电压法和无接触电容-电压法。 本文件适用于同质硅外延层载流子浓度的测试,测试范围为4×1013 cm-3 ~8×1016 cm-3 ,其中硅外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍。硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测试也可以参照本文件进行,...
标准名称: 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 英文名称:Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method 标准状态:现行 发布日期: 2021-05-21 实施日期: 2021-12-01 出版语种:中文简体 替代标准:GB/T 14146-2009 ...
2019年9月25日,由全国有色金属标准化技术委员会组织,在江苏宜兴召开《硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法》预审会议,共有浙江金瑞泓科技股份有限公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料检验质量中心等**家单位的**名专家参加了会议,与会专家对本标准的标准技术内容和文本质量等方面进行了充分的讨论,形成了修改建议...
主要工作过程立项之后成立了标准修订小组落实标准涉及范围检测和参与单位沟通等工作于2018月21日由全国有色金属标准化技术委员会组织在新疆乌鲁木齐召开硅外延层载流子浓度的测试电容电压法第一次工作会议共有浙江金瑞泓科技股份有限公司中国计量科学研究院浙江省硅材料检验质量中心等家单位的名专家参加了会议与会专家对标准的...
外延层的厚度大于测试偏压下耗尽层深度的两倍 硅单晶抛光片和同质碳化硅外延片载流子浓度的测 , 。 试也可以参照本文件进行 其中无接触电容 电压法不适用于同质碳化硅外延片载流子浓度的测试 - 2 规范性引用文件 。 , 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款 其中 注日期的引用文 , ;...
硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法doi:20181807-T-469全国半导体设备和材料标准化技术委员会骆红潘文宾杨素心赵扬赵而敬张佳磊李慎重黄黎严琴黄宇程皮坤林
国家标准《硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法》 由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。2021年5月21日，《硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法》由国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理...