硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法doi:GB/T 14141-1993全国半导体设备和材料标准化技术委员会张新郑绪明
GB/T 14141-1993 是一项中国国家标准,全称为《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》。该标准规定了使用直排四探针技术来测量硅半导体材料中外延层、扩散层及离子注入层的薄层电阻的方法、设备要求、测试步骤以及数据处理方法。以下是其主要内容的阐述: ...
中华人民共和国国家标准 硅外延层、扩散层和离子注人层 薄层电阻的测定 直排四探针法 GB/T 14141一93 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array ,主题内容与适用范围 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入...
国家标准ㅤ可打印ㅤ可复制ㅤ无水印ㅤ高清原版ㅤ去除空白页 Ⅰ / — 犌犅犜141412009 硅外延层、扩散层和离子注入层 薄层电阻的测定 直排四探针法 1 范围 本标准 规定了用 直排四探针测量 硅外延层、扩散层和 离子 注入层薄层电 阻的 方法。 本标准 适用 于测量 直径大于 15.9mm的由 外延、扩散、...
GB/T 14141-2009 《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》相关检测仪器推荐,GB/T 14141-2009《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》 需要用什么仪器,南北潮告诉你。
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层,测量范围为250~5000Ω;对于厚度不小于3μm的薄层,薄层电阻的测量下限...
犐犆犛 2 9 . 0 4 5 犎 8 0 中华人民共和国国家标准犌犅/ 犜 1 4 1 4 1 — 2 0 0 9 代替 G B / T 1 4 1 4 1 — 1 9 9 3 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉狊犺犲犲狋狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲狅犳狊犻犾犻犮狅狀犲狆犻狋犪...
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法GB/T14141-2009 作者:本社 主编出版社:凤凰出版社出版时间:2010年01月 手机专享价 ¥ 当当价 降价通知 ¥14.10 定价 ¥16.00 配送至 北京市东城区 运费6元,满49元包邮 服务 由“当当”发货,并提供售后服务。 加入购物车 当当自营 ...
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω～5000Ω。该方法也可以适用于更高或...
硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法doi:20065624-T-469全国半导体设备和材料标准化技术委员会李慎重许峰刘培东谌攀马林宝何秀坤