我国科学家国际首创 8 英寸硅基氮极性氮化镓衬底 IT之家 3 月 24 日消息，九峰山实验室官方公众号于 3 月 22 日发布博文，宣布以氮化镓材料为核心，国际首创 8 英寸硅基氮极性氮化镓衬底（N-polar GaNOI）、创新推出全国首个 100nm 高性能氮化镓流片 PDK 平台，并实现了动态远距离无人终端无线能量传输完成示...
普遍应用于硅基薄膜太阳能电池的玻璃衬底,凭借其高透光性、耐腐蚀及低成本等显著优点,占据了市场的主导地位。玻璃的高光洁度表面有助于提升光电转换效率。然而,其较大的厚度限制了模块的集成应用,尤其是在空间受限或需要柔性应用的场合。 二、陶瓷衬底的...
我国首创8英寸硅基氮化镓衬底，成功打破国际技术垄断！引言 九峰山实验室官方公众号近日宣布，我国在国际上首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底（N-polar GaNOI），并创新推出全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台，实现了动态远距离无人终端无线能量传输的示范验证，成功打破了国际技术垄断。这一重大突破标志着我国在第三代...
九峰山实验室的这一技术成果，是全球首次在8英寸硅衬底上成功制备氮极性氮化镓高电子迁移率功能材料（N-polar GaNOI），一举打破了国际技术垄断。该成果的主要突破体现在以下三个方面：首先，在成本控制方面，采用硅基衬底，能够与8英寸主流半导体生产设备兼容，并深度集成硅基CMOS工艺，使得该技术能够快速适应量产工艺；...
硅基半导体衬底RRV是指什么？RRV（径向电阻率变化）是指在硅基半导体衬底晶片中，从晶片中心点到偏离中心...
本申请实施例的硅基衬底的制备方法，包括以下操作：提供硅片，硅片包括相对设置的正面和背面，在正面和/或背面制绒；将磷源涂覆于硅片的制绒面，采用红外激光对栅线区域处的磷源进行加热，以在栅线区域处的硅片上形成磷硅玻璃保护层，之后去除残留的磷源；对带有磷硅玻璃保护层的硅片进行碱抛光，以抛光非栅线区域；...
氮化镓晶体极性方向影响器件性能。九峰山实验室全球首次在 8 英寸硅衬底上制备出氮极性氮化镓高电子迁移率功能材料（N - polar GaNOI），打破国际技术垄断。其突破体现在：采用硅基衬底，兼容 8 英寸主流产线设备，集成硅基 CMOS 工艺，控制成本；材料性能与可靠性兼具；键合界面良率超 99%，为产业化奠定基础。全国...
硅基板既可以是衬底,也可以不是衬底。在半导体硅芯片工艺中,通常需要在硅基板上沉积多层薄膜来制造器件,这时硅基板就是衬底。在这种情况下,硅基板的表面形貌和物理性质对于后续工艺的影响非常大,因此需要对硅基板有严格的要求。 但是,有时候也需要将硅基板用作衬底的支撑材料,将其他材...
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本发明通过凸起微结构提高金属掩膜与硅基衬底之间的接触面积，一方面可以提供更多的接触点，增加金属掩膜与硅基衬底之间的物理吸引力的总量，从而提高附着力，另一方面使得二者接触面的应力可以在凸起微结构之间得到分散，降低了局部的应力集中，从而避免金属掩膜从硅基衬底上脱落，提高金属掩膜与硅基衬底之间的粘合力和附着...