近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队，在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底（InPOS），并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 mm通讯波段法布里-珀罗腔（FP）腔激光器，得益于高质量的硅基磷化...
物质科学报告预告 本周二将由中国科学院半导体研究所的骆军委研究员作物质科学报告,报告题目为“片上集成硅基光源”,欢迎感兴趣的同学们踊跃参加。 主讲人:骆军委 报告题目:片上集成硅基光源 报告时间:2019年12月24日(周二)下午2:00 报告地点:江湾物理楼C108 主讲人介绍:骆军委,中国科学院半导体研究所研究员,半导...
欧欣课题组,基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量晶圆级硅基磷化铟(InP)单晶薄膜异质衬底(InPOS),并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 μm通讯波段法布里-珀罗腔(FP)腔激光器。
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队,在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底(InPOS),并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 mm通讯波段法布里-珀罗腔(FP)腔激光器,得益于高质量的硅基磷化铟单晶薄...
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队,在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底(InPOS),并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 mm通讯波段法布里-珀罗腔(FP)腔激光器,得益于高质量的硅基磷化铟单晶薄...
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队,在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底(InPOS),并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 mm通讯波段法布里-珀罗腔(FP)腔激光器,得益于高质量的硅基磷化铟单晶薄...
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员游天桂、欧欣课题组,基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量晶圆级硅基磷化铟(InP)单晶薄膜异质衬底(InPOS),并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 μm通讯波段法布里-珀罗腔(FP)腔激光器。相关研究成果在线发表于《光:科学与应用》。
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队,在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量4英寸硅基InP单晶薄膜异质衬底(InPOS),并进一步制备了性能优异的晶圆级硅基1.55 mm通讯波段法布里-珀罗腔(FP)腔激光器,得益于高质量的硅基磷化铟单晶薄...