《硅半导体器件辐射效应及加固技术》重点分析讨论了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法,包括:空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析,硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子栅穿和单粒子...
硅半导体器件辐射效应及加固技术 正版图书,下单速发,可开发票 作者:刘文平出版社:科学出版社出版时间:2013年09月 手机专享价 ¥ 当当价 降价通知 ¥139.00 定价 ¥279.00 配送至 辽宁营口市 至 北京市东城区 服务 由“温昕图书专营店”发货,并提供售后服务。
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因此,在某些需要在电离辐射环境下工作的应用场合中,如太空航天、核能、国防等领域,硅半导体器件的辐照加固技术显得尤为重要。 二、硅半导体器件的辐照效应 硅半导体器件在电离辐射环境中的辐射效应主要表现为晶体管的电离辐照效应和侵蚀辐射效应。电离辐照效应可导致场效应晶体管(FET)、双极...
半导体电离辐射损伤,器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的介绍与分析,硅双极半导体器件,MOS器件,SOI器件和硅DMOS器件电离总剂量辐射效应,瞬时剂量率辐射效应,单粒子辐射效应的基本机理及其与关键设计参数,工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法的分析,纳米级器件结构的辐射效应以及相关辐射加固的基本原理的概述...
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《硅半导体器件辐射效应及加固技术》是2013年科学出版社出版的图 书，作者是刘文平。内容简介 《硅半导体器件辐射效应及加固技术》重点介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法。《硅半导体器件辐射效应及加固技术》共分六章,主要内容包括空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率...