一、工艺流程的核心步骤 1. 图案转移:利用光掩模将设计电路投影至硅片,通过显影固化形成光刻胶模板。 2. 材料雕琢:采用化学或物理刻蚀手段移除暴露区域的薄膜材料,精确复制模板图案。 3. 表面处理:通过等离子清洗消除刻蚀残留,确保后续镀膜阶段的基底纯净度。 4. 薄膜...
Bosch工艺通常由三个步骤的循环组成：硅蚀刻、侧壁与底部的钝化、底部钝化层的蚀刻，这三个步骤构成一个周期，而在深硅刻蚀过程中，可能会包含多个这样的周期。【 硅蚀刻步骤 】在硅蚀刻步骤中，仅对已去除钝化膜的硅底部进行蚀刻。此时，通入SF6气体，这种无色、无味的化学气体在干法刻蚀中发挥着关键作用。在等离...
以炉管氮化硅(SiN)为幕罩的刻蚀,如浅沟渠隔离(STI)刻蚀、侧壁(OFFSET)刻蚀、主间隙壁(SPACER)刻蚀,在刻蚀后,留下的残留物一般含O、Si等元素,常用稀HF(浓度H2 O:HF约100:1或更稀)清除。 对于CVD SiN为幕罩的刻蚀,由于稀HF对CVD SiN的刻蚀率本身就比炉管SiN大,加上刻蚀电浆对幕罩的表面轰击,相对讲这种...
一、刻蚀对硅衬底性能的潜在影响 刻蚀工艺中,化学溶液与离子束的作用可能导致硅衬底的杂质含量及晶格缺陷密度发生变化。这些变化会进一步影响其电学与光学特性,严重时可能导致元器件性能衰减。 二、硅衬底表面质量的关键性 硅衬底的表面质量对后续工艺步骤具有直接影响。刻蚀过程中可能出现的表...
氟基等离子体硅刻蚀工艺概览 氟基等离子体硅刻蚀的核心在于氟自由基与硅的强烈化学反应性及其自发刻蚀特性。这些氟自由基，主要来源于六氟化硫SF₆的放电，它们与硅反应迅速且效率极高，产生的氟化硅具有优异的挥发性，从而使得刻蚀过程呈现出显著的各向同性特点。然而，为了实现各向异性刻蚀，即获得垂直侧壁，工艺过程...
氮化硅刻蚀工艺是指通过化学反应的方式将氮化硅材料上的某些部分去除,以达到所需的形状和尺寸。氮化硅刻蚀常用的方法主要有湿法刻蚀和干法刻蚀两种。 湿法刻蚀是指在湿润环境中使用化学溶液,如酸或碱溶液,对氮化硅材料进行刻蚀。其中,酸性溶液常用的有浓硝酸、硫酸和氢氟酸等,碱性溶液常用的有氢氧化钠和氢氧化铵等。
通过精确的氮化硅刻蚀工艺,可以制备出具有优异性能的衍射波导,为集成光学、光通信等领域的发展提供有力支持。例如,在高速光通信系统中,利用衍射波导实现光的高效传输和调控,有助于提高系统的传输容量和降低能耗。此外,氮化硅刻蚀工艺还为微型光子器件的制备提供了有力手段,有望推动光子集成技术的进一步发...
深硅刻蚀工艺的原理主要基于湿法刻蚀和干法刻蚀两种方法。以下是对这两种原理的详细解释：湿法刻蚀原理 化学反应：湿法刻蚀使用含有刻蚀剂的溶液，通过溶液与硅表面发生化学反应来刻蚀硅。常用的刻蚀剂包括氢氟酸（HF）、氢氧化钾（KOH）和氢氟酸与硝酸（HNO3）的混合物等。过程：刻蚀剂与硅反应生成可溶性物质，这些物质...
刻蚀工艺的目的是去除背面和侧面的反型层和前表面的磷硅玻璃。 一、刻蚀工艺 硅片表面刻蚀主要工艺包括等离子体刻蚀和酸液腐蚀。 1.1 等离子体刻蚀 反应气体为CF4和O2,CF4在等离子体作用下生产含氟基团F*,F*与硅反应生成SiF4;O2与碳反应生成二氧化碳以增加F*的含量。主要反应如下:...
各向同性的刻蚀的特点是各个方向上的腐蚀速率是均匀的。 硅体的各向异性刻蚀的腐蚀剂基本是碱性溶液,而氢氧化钾溶液占一半以上,因此氢氧化钾是硅体的各向异性腐蚀重要的和常用的腐蚀剂.反馈 收藏