硅型光电探测器的使用波长范围通常在200至1100纳米之间。这一范围主要由硅材料的带隙能决定。带隙能是指电子在材料中从价带跃迁至导带所需的最小能量,对应的波长即为硅型光电探测器的最长响应波长。硅的带隙能为1.12电子伏特,对应的波长为1107纳米,因此硅型光电探测器的响应波长上限通常...
硅材料光电探测器,作为光谱分析、光通信及环境监测等领域的核心组件,其响应波长区间广泛覆盖200至1100纳米。这一波长范围与硅的带隙能紧密相关,确保了探测器能有效感知紫外线、可见光及近红外光信号。硅的带隙能约为1.12电子伏特,对应波长1107纳米,为探测器的最长响应波长设定了上限。通过优化探测器的构造和制造工艺,...
测光方式: 硅光电探测器 测量范围: 199.9N 测量精度: 4% 测量时间: 1s 测量重复性: ±1 电源: 220V 工作温度: (0～40)℃ 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下...
金融界 2025 年 1 月 24 日消息,国家知识产权局信息显示,重庆鹰谷光电股份有限公司取得一项名为“一种适用于宽温度范围的 630nm 硅基 PIN 探测器校准方法和系统”的专利,授权公告号 CN 118936626 B,申请日期为 2024 年 7 月。 天眼查资料显示,重庆鹰谷光电股份有限公司,成立于2006年,位于重庆市,是一家以从事...
基于光电效应的主流图像传感器分为电荷耦合器件(Charge Coupled Device, CCD)与互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器两种,但两者的探测范围都受限于半导体带隙。石墨烯等新型二维材料的出现为新型宽光谱图像传感器的研究提供了新的思路,结合石墨烯超快的电子-电子散射与硅基技术的低噪声、低成本等优势,有望实现室温高...
硅基光电探测器的可探测波长范围与硅的带隙能对应,一般在200至1100纳米之间。硅的带隙能为1.12电子伏特,对应的波长为1107纳米。因此,硅基光电探测器的响应波长范围一般是在200至1100纳米之间,即可探测紫外线、可见光和近红外光信号。 随着技术的不断发展,可以通过在...