锗管,由锗材料制成,具有较低的导通电压。通常,锗管的导通电压在0.1至0.3伏之间。这意味着,当基极与发射极之间的电压达到这个范围时,三极管将开始导通,允许电流从集电极流向发射极。由于锗管的导通电压较低,它在某些需要低电压触发的电路中特别有用。 三、硅管的导通电压 与锗管相比,...
三极管的导通电压是不确定的，因为是电流控制元件。硅三极管饱和导通电压为0.3v，对于楮三极管饱和电压为0.1v
三极管的三个工作区域分别是___、___和___。答:从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管的死区电压为0.5V, 锗管的死区电压为0.2V; 硅管的导通管压降为0.7 V,锗管的导通管压降为0.3 V。3、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和,在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA,你认为哪一个管的...
(1)硅二极管的导通电压值约为___,锗二极管的导通电压约为___。 (2)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成___、___、___三种组态。 (3)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是___,掺杂越多,则其数量一定越___,相反,少数载流子应是___,掺杂越多,则...
锗材料二极管导通时其两端电压为伏硅材料二极管导通时其两端电压为伏反向击穿区管降大说明分压的电阻大所以是大是的理想二极管反向电阻无穷大是的实际的二极管反向电阻有限所以电压过大击穿后电流迅速上升是的三极管有三种工作状态是放大截止和饱和场效应管才是电压控制元件