因此,完善的保护电路模块对于DC-DC变换器芯片是 相当重要的,本设计包括过电压保护电路子模块、低电压欠压锁定电路子模块和过温保护电 路模块。首先,如果当芯片的输出引脚电压过高,超过了负载能够承受的范围,那么可能引 起负载短路或者直接被烧坏,因此需要对输出电压的上限和下限有所限制,为此采用输出过 电压保护电路...
从八十年代末起,为了缩小DC-DC变换器的体积,提高功率密度,设计者大幅度提高了开关电源的工作频率,虽然这种结果确实是很大程度上缩小了体积,却降低了效率。因为体积缩小,发热增多,就难过高温关。因为当时MOSFET的开关速度还不够快,大幅提高频率使MOSFET的开关损耗驱动损耗大幅度增加。因此,半导体业界对MOSFET技术进行了...
从八十年代末起,为了缩小DC-DC变换器的体积,提高功率密度,设计者大幅度提高了开关电源的工作频率,虽然这种结果确实是很大程度上缩小了体积,却降低了效率。因为体积缩小,发热增多,就难过高温关。因为当时MOSFET的开关速度还不够快,大幅提高频率使MOSFET的开关损耗驱动损耗大幅度增加。因此,半导体业界对MOSFET技术进行了...
从八十年代末起,为了缩小DC-DC变换器的体积,提高功率密度,设计者大幅度提高了开关电源的工作频率,虽然这种结果确实是很大程度上缩小了体积,却降低了效率。因为体积缩小,发热增多,就难过高温关。因为当时MOSFET的开关速度还不够快,大幅提高频率使MOSFET的开关损耗驱动损耗大幅度增加。因此,半导体业界对MOSFET技术进行了...
从八十年代末起,为了缩小DC-DC变换器的体积,提高功率密度,设计者大幅度提高了开关电源的工作频率,虽然这种结果确实是很大程度上缩小了体积,却降低了效率。因为体积缩小,发热增多,就难过高温关。因为当时MOSFET的开关速度还不够快,大幅提高频率使MOSFET的开关损耗驱动损耗大幅度增加。因此,半导体业界对MOSFET技术进行了...