对于Cu表面生长石墨烯来说,氧可以钝化铜而抑制石墨烯形核,且氧具有脱氢作用,石墨烯边缘处结合的氢原子在有氧的情况下易脱除,暴露出的石墨烯边缘碳原子使新裂解的碳源与石墨烯边缘结合,从而促进石墨烯生长。在这种情况下,抑制石墨烯生长的主要因素是碳源的扩散,获得的石墨...
对于Cu表面生长石墨烯来说,氧可以钝化铜而抑制石墨烯形核,且氧具有脱氢作用,石墨烯边缘处结合的氢原子在有氧的情况下易脱除,暴露出的石墨烯边缘碳原子使新裂解的碳源与石墨烯边缘结合,从而促进石墨烯生长。在这种情况下,抑制石墨烯生长的主要因素是碳源的扩散,获得的石墨烯通常为树枝晶,属于扩散限制机制。在反应环境...
对于Cu表面生长石墨烯来说,氧可以钝化铜而抑制石墨烯形核,且氧具有脱氢作用,石墨烯边缘处结合的氢原子在有氧的情况下易脱除,暴露出的石墨烯边缘碳原子使新裂解的碳源与石墨烯边缘结合,从而促进石墨烯生长。 转移 石墨烯在任意基底上的完整转移是实现石墨烯在电子等领域实际应用的关键技术。对于CVD生长的石墨烯,通常...
对于Cu表面生长石墨烯来说,氧可以钝化铜而抑制石墨烯形核,且氧具有脱氢作用,石墨烯边缘处结合的氢原子在有氧的情况下易脱除,暴露出的石墨烯边缘碳原子使新裂解的碳源与石墨烯边缘结合,从而促进石墨烯生长。在这种情况下,抑制石墨烯生长的主要因素是碳源的扩散,获得的石墨烯通常为树枝晶,属于扩散限制机制。在反应环境...