近红外或短波红外,波长范围为1~3μm 利用反射光成像,而不是热成像。短波探测器依赖于能见度低的环境光,和人眼探测原理类似,更像是增强视力,而且能够穿透挡风玻璃成像; 中红外或中波红外,波长范围为3~5μm 长波红外,波长范围为8~14μm 中长波红外主要是探测的目标物体自身辐射的红外光谱,受目标物性、应用场景等...
本发明公开了一种短波/中波/长波三波段红外探测器,其结构包括GaSb衬底,沉积于GaSb衬底上的外延结构,钝化层,金属电极,所述外延结构从下至上依次为Te掺杂的GaSb缓冲层,n型InAs/GaSb超晶格接触层,M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层,p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层,p型InAs/GaSb超晶格接触层,p型...
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摘要 本发明公开了一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器,其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极,所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外...
本发明公开了一种三色红外探测器的制作方法,其结构包括GaSb衬底,沉积于GaSb衬底上的外延结构,钝化层,金属电极,所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层,p型InAs/InAsSb超晶格接触层,未掺杂的InAs/InAsSb超晶格红外吸收层,n型InAs/InAsSb超晶格接触层,第一n型InAsSb接触层,AlAsSb电子势垒层,非掺杂In...
一种短波/中波/长波三波段红外探测器的制备方法本发明公开了一种短波/中波/长波三波段红外探测器,其结构包括GaSb衬底,沉积于GaSb衬底上的外延结构,钝化层,金属电极,所述外延结构从下至上依次为Te掺杂的GaSb缓冲层,n型InAs/GaSb超晶格接触层,M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层,p型InAs/GaSb超晶格...
摘要 本发明公开了一种短波/中波/长波三波段红外探测器,其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极,所述外延结构从下至上依次为Te掺杂的GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、p型InAs/GaSb超晶格接...
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一种制备上述短波/中波/长波三波段红外探测器的方法,包括以下步骤: (1)将外延级的gasb衬底装入分子束外延系统的进样室于200℃下进行低温除气处理2小时,再进入缓冲室内于500℃下进行高温除气处理40~90分钟; (2)将除气后的gasb衬底转入生长室去除氧化层,n型gasb(001)衬底在sb2保护下升温,在衬底表面出现脱氧点时,...
本发明公开了一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器,其包括GaSb衬底,沉积于GaSb衬底上的外延结构,钝化层,金属电极,所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层,n型InAs/GaSb超晶格接触层,第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层,p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层,第一p型In...