专利名称 基于畴壁密度来存储数据的非破坏读取铁电多逻辑态存储单元及写/读/擦除操作方法 申请号 2018102703298 申请日期 2018-03-29 公布/公告号 CN108550551B 公布/公告日期 2020-08-28 发明人 侯鹏飞,刘云霞,王金斌,钟向丽,郭红霞,杨琼 专利申请人 湘潭大学 专利代理人 郝传鑫 专利代理机构 广州三环专...
摘要 本发明公开了一种高密度无损读取的铁电畴壁存储器。该纳米铁电畴壁存储器,由下至上依次包括:单晶基底层、底电极层和铁电材料层;所述铁电材料层由若干个等间距排列的方块组成。通过控制不同的生长条件获得边长600纳米以下的方形铁电单元,工艺简单有效,避免了成本很高且工艺复杂的光刻和刻蚀对材料性能造成的损伤。
近期,复旦大学微电子学院江安全课题组,联合国内外多个研究团队,在新型铁电畴壁器件方面取得重大进展。研究人员利用铁电畴壁在材料内部和界面处的稳定性差异,成功在铌酸锂单晶薄膜上实现了非易失性存储器和单极性选择管的无缝衔接,为非易失性铁电存储器的高密度集成提供了一个高效的解决方案。另外,研究人员在此基础上,...
研究人员利用铁电畴壁在材料内部和界面处的稳定性差异,成功在铌酸锂单晶薄膜上实现了非易失性存储器和单极性选择管的无缝衔接,为非易失性铁电存储器的高密度集成提供了一个高效的解决方案。另外,研究人员在此基础上,进一步利用铁电畴壁的高度可控性,同样是在铌酸锂单晶薄膜上实现了非易失性场效应晶体管。在同种材料...
利用密度矩阵重整化群,我们研究畴壁中海森堡自旋链中的纠缠,畴壁由边缘磁场产生.研究表明成奇数边的纠缠随着磁场的增加而下降,偶数边的纠缠随着磁场的增加而上升.在一定值的磁场下,奇,偶数边的纠缠相等.随着磁场的进一步增大,奇数边的纠缠会大于偶数边的纠缠.纠缠熵随着子系统粒子数的增大而增大,最后稳定.奇数子系统...
研究人员利用铁电畴壁在材料内部和界面处的稳定性差异,成功在铌酸锂单晶薄膜上实现了非易失性存储器和单极性选择管的无缝衔接,为非易失性铁电存储器的高密度集成提供了一个高效的解决方案。另外,研究人员在此基础上,进一步利用铁电畴壁的高度可控性,同样是在铌酸锂单晶薄膜上实现了非易失性场效应晶体管。在同种...