结果表明,可通过合理设计半导体界面借助势垒高度的增加和降低来实现对具有相似氧化还原特征的不同物质电化学响应的增强和削弱,从而实现对特定物质的高灵敏、低干扰检测。 图一NiO/PANi/ZnO多级材料的界面势垒调控机理图 (a)多级异质结界面势垒在以氧化还原为基础的电化学检测中工作原理图;p-n结界面(b)合p-p结界面(...
学校代号 10532 学号 B1407S0156分 类号密级公 开博士学位论文二维半导体与金属异质结界面肖特基势垒调控的第一性原理研究学位申请人姓名 刘 标培 养单位 物理与微电子科学学院导师姓名及职称 蔡孟秋 教授学 科专业物理 学研 究方向 二维异质结第一性原理研究论 文提交日期 2017 年 5 月 11 日 ...
基于电子束刻蚀方法制备单肖特基势垒光电二极管及其光电特性研究 利用电子束刻蚀方法(EBL)可以在位地在纳米线的两端蒸镀金属电极,并可以通过调控不同种类,活性的金属对肖特基势垒的界面进行调控,为调控器件性能,制备高性能光电器件提... 宋笑影,程纲,杜祖亮 - 中国化学会学术年会 被引量: 0发表: 0年 SiC电力电子器件...
着重研究了界面的肖特基势垒高度。获得的主要创新性成果如下: 1研究了钯/二硫化钼异质结的结构和电子性质,发现通过平面压缩和拉伸应力可以实现对界面肖特基势垒高度的调控。其势垒高度在6%的拉伸应力作用下可以降低到零。通过分析导带底和价带顶的电荷密度,发现肖特基势垒高度是由Mo原子的z2d轨道决定。 2研究了黑磷/石墨...
而在锂负极侧,引入功能性合金层和曲线机催化调控层,能有效降低锂的跨界面传输势垒,并加快界面锂离子去溶剂化速率。 🔧通过引入负载金属单元子的界面层,提供丰富的活性单元子位点,可以实现锂原子动力学的催化调控,促进锂金属表面的有序沉积。 🌟作为新型电池的代表,锂金属电池的发展将深刻改变我们的生活和生产方式...
图一NiO/PANi/ZnO多级材料的界面势垒调控机理图 (a)多级异质结界面势垒在以氧化还原为基础的电化学检测中工作原理图;p-n结界面(b)合p-p结界面(c)能带结构图。 图二石墨烯/NiO泡沫的界面势垒调控机理图 形成肖特基结前(a)和后(b)石墨烯和NiO的能带结构图;(c)3D石墨烯/NiO修饰的GCE原理结构图。(d)3D石墨...
《金属与锗接触界面微结构改性及势垒高度调控机理研究》是依托厦门大学,由李成担任项目负责人的面上项目。项目摘要 具有高载流子迁移率的锗材料应用于集成电路最大的挑战是金属、栅介质和锗接触界面存在高的界面态密度,制约着器件(特别是nMOSFET)性能的提高。其中栅介质与锗界面已经得到广泛的研究并取得良好的效果。...