因此，界面位错线整体向上攀移到新的Cu2O/Cu界面是界面原子台阶恢复相变的必要条件。实验和模拟结果证明位错攀移所需要的原子需从Cu基体长程扩散到界面位错核处，这一过程中，界面相变处于暂停状态直至攀移完成。鉴于界面台阶流动机制在固-固相变过程中的普遍存在，错配位错在调节固-固相变动力学中的重要作用可能直接适...
原位TEM显示,在预循环期间,可观察到中心晶粒右侧的晶界(GB)迁移,导致该晶粒变粗。随着在560 μN的恒定最大载荷下进一步循环,形成了一种位错墙结构,该结构附近表现出较大的位错活动,同时阻止了进一步的位错移动。随着进一步的循环,位错结构...
随着位错连续不断地向界面运动，大量面外分量的位错在界面上累积，这将会在界面上引起应力集中，从而促进界面上位错的形核和发射。另外，有序界面上有大量的失配位错，这些失配位错也能促进位错形核。随着界面上位错的形核与发射，位错成功地滑移穿越有序界面，释放应力，传递应变。但是，当Cu层中柏氏矢量为的位错沿着...
除位错滑移外,孪晶是六方密排(HCP)镁合金塑性变形的重要机制。{102}孪晶是镁合金中最常见的孪晶模式,其临界剪应力是所有孪晶模式中最低的。实验观察发现,{102}孪晶界(TBs)通常由基底-棱柱晶界(BP)和棱柱-基底晶界(PB)约束,导致TB与{102}孪晶界的偏移。BP/PB面可以形成一个具有{102}孪晶取向关系的界面,BP/...
(d)是(b)中用虚线矩形描绘的界面位错网络的放大图像(左),沿[001]方向观察,对应的三维位错层析图(右)。 图2界面位错网络的EDS能谱图 (a)垂直于位错网络的EDS能谱图; (b-c)含和不含位错界面的γ/γ’相界面的HAADF-STEM图像。 图3原子尺度下界面位错核心结构的STEM和化学分析图 ...
总而言之,本工作表明,错配位错阵列对转化动力学施加了固有的界面控制。以金属氧化为例,伴随氧化物生长的大晶格变化通常导致约1-3nm的平衡错配位错间距。这种高密度的错配位错导致对金属/氧化物界面反应动力学的界面控制具有预期的重要性。在最近关于界面结构在相变中的作用的评论中,尚未知道通过在界面边缘流动上的固有...
且相界面对位错的阻碍作用,产生应力集中,进而激活二次位错滑移带的产生,有效缓解了应变局域化行为,位错滑移带更加弥散,应变分布更加均匀。随着相界面数量的增多,合金的均匀变形能力提高,界面对于合金强度的贡献增大,微柱的尺寸效应降低,对于...
该研究针对双相钛合金（Ti-6Al-4V）进行了深入探讨，揭示了相界面在合金力学性能与位错行为中所扮演的关键角色。研究显示，α/β相界面能够显著提升合金位错滑移的临界分解切应力，进而增强合金的应变硬化能力。此外，随着相界面数量的增加，应变分布也变得更加均匀，这有助于减少应力集中并促进二次滑移带的产生。这一...
5.2位错分析 从a-f可以看到随着压缩应变的施加位错首先在界面处成核,随后ZnCu3侧也会受形变从而促发位错。随着应变进一步施加,ZnCu3侧的位错逐渐增加,随后会滑移到界面而减少,而Cu侧将从界面处逐渐促发位错。 该模拟分析实用于各种合金界面以及晶界的压缩拉伸模拟。 祝大家科研愉快!!! 公众号推荐:计算运维鸟 ...