型NMOS 反相器的衬底掺杂浓度、P +区掺杂浓度、栅氧化层的厚度、导电沟道的宽长比等影响反相器输 出低电平的各个因素展开研究。2NMOS 反相器器件结构选择 利用Silvaco TCAD [7]建立一种电阻型负载反相 器MOSFET 结构，如图1。此NMOS 器件采用常规平 面型水平沟道MOS 结构，基本参数设定为：P 型单晶硅片衬底，电阻...
内容提示: 第2期2019年4月微处理机MICROPROCESSORSNo.2Apr.,2019电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化刘春艳,李媛(渤海大学新能源学院,锦州121013)摘要:反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用...
TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL的阻值等,研究其对反相器输出低电平性能的影响.仿真结果表明,增加衬底掺杂浓度和P+区掺杂浓度可以改变阈值电压,优化电路的输出电平;增大栅氧化层的厚度也可同样实现对电阻型NMOS反相器...
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道.基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL... 查看全部...
假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的,Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻,则反相器的传播延时定义为()。 A. B. C. D. 点击查看答案进入小程序搜题 你可能喜欢 ()经常会先随心所欲的画完画,然后再赋予这些画不同的意义。 A.青...
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心[1-3],现今反相器应用主要以CMOS反相器为主,但部分电路也会有其他反相器的应用,例如分立元件电路中就常用电阻负载型NMOS反相器,对于反相器在这些方面的应用,人们也做了大量研究[4-6]。但是对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器的性能的影响,相关的研究还很少见,基于...