在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下 WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体...
【题目】如图甲所示的装置中,水平地面上放着重为8N薄壁柱形容器,底面积为400cm2,内装有5cm深的水,A、B是边长均为10cm的正方体,B的重力为20N。轻质杠杆支点为O,A物体通过轻质弹簧和B物体通过细线分别挂于杠杆的C、D两点,lOC:lOD=1:2。B物体底部安装了压敏电阻片R,R所在的电路放在了B物体内(R所在的电路...
王东升, 担任宁波工投产业投资基金有限公司、宁波和丰创业投资有限公司、宁波富甬制造业投资基金有限公司 等法定代表人, 担任中芯集成电路(宁波)有限公司、宁波工投产业投资基金有限公司、宁波和丰创业投资有限公司等高管。 任职全景图 投资、任职的关联公司 商业关系图 一图看清商业版图 合作伙伴 了解老板关系,合作伙...
集成电路中的WPE和LOD效应 在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下 WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的...
集成电路中的WPE和LOD效应 在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下 WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的...
在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下 WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体...