综上所述,构建Sn(Ⅱ)/Sn(Ⅳ)梯度界面,可有效提高材料电子电导率、提高离子迁移速率,降低电荷转移能垒,使其在Li/Na/K半电池和全电池中表现出较好的倍率性能和循环稳定性。在LIBs和SIBs中具有790和373 mAh g-1的可逆容量,在LICs(106.4 Wh kg-1@250 W kg-1,33.3 Wh kg-1@10000 W kg-1)和SICs(
由于金属与二维半导体接触界面复杂的电荷转移,界面处经常会产生强烈的费米钉扎效应。 近日,西北工业大学冯丽萍教授等人在Science China Materials发表研究论文,以Bi 2 OS 2(拥有目前二维半导体材料中已知的最高电子迁移率)作为二维沟道层,采用密度泛函理论系统地计算了其与金属电极接触界面的肖特基势垒以及界面电荷转移机制。
由于金属与二维半导体接触界面复杂的电荷转移,界面处经常会产生强烈的费米钉扎效应。 近日,西北工业大学冯丽萍教授等人在Science China Materials发表研究论文,以Bi 2 OS 2(拥有目前二维半导体材料中已知的最高电子迁移率)作为二维沟道层,采用密度泛函理论系统地计算了其与金属电极接触界面的肖特基势垒以及界面电荷转移机制。
由于金属与二维半导体接触界面复杂的电荷转移,界面处经常会产生强烈的费米钉扎效应。 近日,西北工业大学冯丽萍教授等人在Science China Materials发表研究论文,以Bi 2 OS 2(拥有目前二维半导体材料中已知的最高电子迁移率)作为二维沟道层,采用密度泛函理论系统地计算了其与金属电极接触界面的肖特基势垒以及界面电荷转移机制。