随着半导体工艺的不断发展,器件尺寸越来越小,电离总剂量效应对芯片性能的影响也越来越大。 二、原理 当高能粒子穿过芯片时,会与芯片中的原子发生碰撞,产生大量自由载流子。这些自由载流子可能会导致芯片中出现漏电流和偏移电压等问题。此外,在高剂量辐照下,还可能产生缺陷能级和氧化物缺陷等问题。 三、影响因素 1. ...
高k栅介质经时击穿效应辐射陷阱电荷针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO_(2)栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究.以HfO_(2)栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下^(60)Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前后MOS电容的电流-电压,电容-电压以及经时...
二、总剂量辐射损伤的产生机理 (4)三、电离总剂量辐射对器件的影响 (6)3.1 总剂量辐射对NMOS晶体管关态漏电流的影响 (6)3.2 总剂量辐射对VDMOS晶体管1/f噪声的影响 (7)3.3 总剂量辐射对SRAM静态功耗电流的影响 (8)3.4 总剂量辐射对SRAM功能的影响 (9)四、针对辐射损伤所采取的辐射加固方法 (9)4.1...
长时间辐射剂量累积引起的半导体器件电离辐射总剂量效应，是辐射环境中工作系统的一种典型辐射效应现象。因此，电离辐射总剂量效应研究对于确保航天器在空间天然辐射环境中的高可靠性工作具有重要意义。电离辐射总剂量效应研究关注的内容 电离辐射总剂量效应是空间辐射效应之一，它与微电子工艺中广泛使用的二氧化硅材料联系紧密...
电离总剂量辐射效应是指电离辐射的累积导致器件的参数发生退化的现象。IC61LV5128-15T半导体器件主要分为MOS器件、双极器件两类。对于MOS器件,无论是硅栅器件还是金属栅器件,在栅和衬底之间有一层siα介质,其与衬底Si将构成Si-So2系统;而双极器件均采用siO2钝化层(氧化层)保护器件表面,其钝化层与衬底si也将构成si...
运算放大器电离总剂量效应研究摘要:对某型号国产双极型双路高压运算放大器在不同偏置条件和不同剂量率条件下的电离总剂量效应进行了研究。通过对运算放大器辐照前后的电参数进行测试,计算得到增强因子,分析特殊偏置条件和低剂量率条件对运算放大器电离总剂量效应的影响。试验结果说明,偏置条件不同,运算放大器的电离总...
如下图,本方案的总剂量效应的仿真分为 2 步: 电离退火仿真:从“剂量分布”到“固定电荷和表面态分布”,是电子、空穴、H$^+$ 离子、H$_2$ 分子等在绝缘体中和界面出的产生、漂移、扩散、捕获、逃逸的过程,作用时间较长(几天到几年),在算法中还需要考虑绝缘体与半导体方程求解的耦合。
《半导体器件电离辐射总剂量效应》是2022年科学出版社出版的图书。内容简介 辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中*常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中...
今天我们谈谈总电离辐射剂量 (TID) 效应。 由于测试过程相对简单,因此评估起来要简单一些。当然,我说很简单是因为产品测试工程师已经为我们做了大量工作。 检查高速 ADC 的 TID 效应时,辐射前和辐射后均要在 ATE 上对产品进行测试。还会对一个控制单元进行测试以获得比较基准。在本例中,测试了一个控制单元和4个...