金融界2024年10月28日消息，国家知识产权局信息显示，浙江亚太机电股份有限公司申请一项名为“用于检测电源管理芯片驱动能力大小的装置和方法”的专利，公开号CN 118818259 A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种用于检测电源管理芯片驱动能力大小的装置和方法。微控单元模块作为分别和驱动信号电压与电流...
控制芯片的驱动能力直接影响功率MOSFET的开关特性,开关损耗以及工作的可靠性。 1、控制芯片内部Totem图腾柱驱动器 在PWM控制芯片及其它电源控制器的内部,集成了用于驱动功率MOSFET的Totem图腾柱驱动器,最简单的图腾柱驱动器如图1所示,由一个NPN三极管和一个PNP三极管对管组成,有时候也会用一个N沟道MOSFET的一个P沟道MOS...
金融界2024年10月28日消息,国家知识产权局信息显示,浙江亚太机电股份有限公司申请一项名为“用于检测电源管理芯片驱动能力大小的装置和方法”的专利,公开号CN 118818259 A,申请日期为2024年6月。 专利摘要显示,本发明公开了一种用于检测电源管理芯片驱动能力大小的装置和方法。微控单元模块作为分别和驱动信号电压与电流检...
茂睿芯MD18011X和MD18023X芯片均是隔离型栅极驱动器,适用于驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。MD18011X特点包括4A拉电流和7A灌电流能力,输入侧-16V耐压,5700VRMS磁隔离技术,长工作寿命,高CMTI值(≥200kV/us),更强的耐负压能力,快速UVLO恢复,和较小脉冲宽度失真。采用SOW-6封装,具备8mm以上电气间隙和爬电距离,适于...
金融界2024年10月28日消息,国家知识产权局信息显示,浙江亚太机电股份有限公司申请一项名为“用于检测电源管理芯片驱动能力大小的装置和方法”的专利,公开号CN 118818259 A,申请日期为2024年6月。 专利摘要显示,本发明公开了一种用于检测电源管理芯片驱动能力大小的装置和方法。微控单元模块作为分别和驱动信号电压与电流检...
电子标签芯片的结构与功能模块详解 射频微波研究院 不喜欢 不看的原因确定 内容低质 不看此公众号内容 能看懂这个线路的电工不多吧,电工小白只能放弃了! 工控自动化交流 不喜欢 不看的原因确定 内容低质 不看此公众号内容 芯片封装工艺 祺...
金融界 2024 年 12 月 20 日消息,国家知识产权局信息显示,成都逐飞智能设备有限公司取得一项名为“一种基于 HIP4082 栅极驱动芯片的全桥式 MOS 电机驱动”的专利,授权公告号 CN 222169644 U,申请日期为 2024 年 3 月。 专利摘要显示,本实用新型涉及直流有刷电机驱动技术领域,尤其是一种基于 HIP4082 栅极驱动芯...
产品描述:EG2133是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V～20V。该芯片
SGM46000的内部框图如图4。 图4.SGM46000内部框图 SGM46000可支持的输入电压是2.5V~5.5V,外部配合变压器可以实现隔离电源的降压、升压、负压,可以满足多种使用场景,驱动能力达到3W,基本可以满足普通的负载需求;封装是SOIC-8底部带有热焊盘,有利于降低芯片的本体温升,提高稳定性,体积小,能适用于那些小空间的产品。
SGM3836 AMOLED屏幕电源芯片被设计用于驱动需要VAVDD,VELVDD和VELVSS的AMOLED显示器(有源矩阵有机发光二极管)。该器件集成了适用于电池供电产品的VELVDD升压转换器,VELVSS的反相降压-升压转换器和VAVDD的升压转换器。数字接口控制引脚(CTRL)允许以数字步进方式编程VAVDD,VELVDD和VELVSS。 特性: 1、短路保护 2、热关...