其基本原理是将射频放电的物理过程与化学气相沉积相结合,利用ICP等离子体对反应前驱体进行裂解,如制备高硬度、耐高温、耐腐蚀的Si3N4薄膜[11]。ICP等离子体在工业上的另一个主要应用是等离子体干法刻蚀,尤其是反应离子刻蚀(RIE)ICP等离子体干法刻蚀可以克服湿法刻蚀的严重钻孔效应和各向同性,具有选择性、各向异性等特点...
电感耦合等离子体刻蚀（ICP etching）使用低压的等离子体来刻蚀金属，其原理是利用电击发出i产生连续等离子体物质。其中最重要的物质有氦气、氩气、氦氟烷（HFl）和碘化物气体。电子束以0.7〜6MHz的频率以及25〜500W的功率注入等离子体，同时低压的使条件下如离子温度和电子温度可以很容易地控制。因此，电感耦合等离子...
在半导体制造中,ICP被用于刻蚀工艺,其高密度等离子体可精确控制材料的去除速率,保证半导体器件的尺寸和形状。通过调节等离子体的组成和特性,可以实现对硅、氮化镓等材料的高精度加工。 ICP的物理和化学过程 在ICP中,首先气体在气体供给系统的推动下流入等离子体腔,接着,在电感线圈的作用下,射频电源提供的电能被转化为等...
此外,ICP还可以用于表面处理,如等离子体刻蚀、等离子体镀膜等领域。 总之,电感耦合等离子体源是一种高温等离子体源,具有等离子体稳定性和高温度的优势,广泛应用于质谱分析、光谱分析和表面处理等领域。它的原理是利用感应加热产生高频电场,使气体放电产生等离子体,适用于各种样品的分析和处理。ICP的应用前景非常广阔,将...
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀机是一种将射频电源的能量经由电感线圈,以磁场耦合的形式进入反应腔内部,从而产生等离子体并用于刻蚀的设备。 ICP刻蚀机具有结构简单、操作简便、刻蚀损伤小、刻蚀速率快、电场可独立控制、刻蚀表面性能好、选择比高、大面积刻蚀均匀性好等特点,适合于大面积基片刻蚀,目前其在二氧化硅、应变硅、...
电感耦合式等离子体(Inductively.couplede.Plasma,ICP)的工作原理,就是在线圈上加上一个高频电源,当线圈上的电流改变时,就可有安培定律知道,当感应产生一变动磁场,同时可由法拉第定律知道此变动之磁场会感应出一个反应方向的电场,此电场会加速等离子体中的电子而形成一线圈电流相反的二次电流。并且随着与加于线圈上的...
ICP可以生产高温、高密度等离子体,并控制等离子体的化学成分和温度,因此被广泛用于半导体加工。例如,ICP可以用于半导体薄膜沉积、抛光、刻蚀等。ICP刻蚀技术可以在硅基材料,即硅酸盐、氮化硅、碳化硅等材料上广泛应用。 四、结语 ICP是一种高效、高灵敏度、高分辨率、高稳定性等离子体技术,其应用广泛,涵盖了化学领域、...
分光器采用Czerny-Turner光路，焦距为1000mm，光栅规格为离子刻蚀全息光栅，刻线密度3600线/mm，线色散率倒数为0.26nm/mm，分辨率≤ 0.008nm(3600刻线），≤0.015nm(2400刻线）。测光装置包括光电倍增管规格、负高压、电流测量范围等。ICP2000电感耦合等离子体发射光谱仪标准配置包括ICP2000主机、稳压...
电感耦合等离子体原理 1、物理溅射蚀刻（只有能量离子）溅射刻蚀利用能量离子对材料表面进行轰击，使原子从材料表面飞溅出去，从而实现去除材料的目的。溅射率（每个入射离子所溅射出来的材料原子数）随着离子能量的增加而快速增加。在离子能量一定的情况下，不同材料的溅射速率相差不大，故而这个过程选择性很差。溅射是纯...