一、MLCC电应力击穿的失效模式 MLCC的电应力击穿主要分为两种类型: 电压击穿(电击穿):当施加电压超过MLCC的额定耐压时,电介质层因无法承受电场应力而失去绝缘性能,导致短路或完全失效。 电流击穿(热击穿):在高电场强度下,介质损耗产生的热量无法及时散失,局部温度升高加速击穿过程。 这两种失效模式均与介质材料特性、制造工艺及使用条件密切
结合无损检测与解剖分析,最终确认裂纹源于烧结工艺中的温度控制不当。通过优化工艺参数,问题得以彻底解决。 四、提升MLCC可靠性的设计建议 合理选择元件参数:根据电路需求选择合适额定电压与电容值,避免接近极限条件使用。 降额设计:建议工作电压低于额定电压的50%,以降低电应力击穿风险。 优化散热与工艺:确保良好的散热条...
结合无损检测与解剖分析,最终确认裂纹源于烧结工艺中的温度控制不当。通过优化工艺参数,问题得以彻底解决。 四、提升MLCC可靠性的设计建议 合理选择元件参数:根据电路需求选择合适额定电压与电容值,避免接近极限条件使用。 降额设计:建议工作电压低于额定电压的50%,以降低电应力击穿风险。 优化散热与工艺:确保良好的散热条...
结合无损检测与解剖分析,最终确认裂纹源于烧结工艺中的温度控制不当。通过优化工艺参数,问题得以彻底解决。 四、提升MLCC可靠性的设计建议 合理选择元件参数:根据电路需求选择合适额定电压与电容值,避免接近极限条件使用。 降额设计:建议工作电压低于额定电压的50%,以降低电应力击穿风险。 优化散热与工艺:确保良好的散热条...
【MLCC电应力击穿机理研究】对#MLCC#来说,主要有两种击穿失效模式:一种是电压击穿,或者称为电击穿;另一种是电流击穿,属于热击穿。这两种击穿规律不同,物理过程也不同,存在着较大的差异。另外还有一些其他类型的击穿O网页链接 û收藏 1 评论 ñ赞 评论 o p 同时转发到我的微博 按...
栅氧化层的击穿 特 性 , 提 出 了 不 同 于 隧 穿 模 型 的 栅 电 流模型 , 表明 器 件 的 栅 电 流 不 是 由 单 一 的 隧 穿 引 起 , 电子的翻越和电荷的渗透也会产生栅电 流 . 应力 条 件下 , 栅氧化层中形 成 的 缺 陷 降 低 了 S i O 2 的 势 垒 高 度和势 垒 宽...
1.1 本试验方法涵盖了固体电绝缘材料在直流电压应力下的介电击穿电压和介电强度的测定。 1.2 由于某些材料需要特殊处理,因此还应参考 ASTM 规范或直接适用于待测材料的测试方法。请参阅测试方法 D149,确定电绝缘材料在商业电源频率下的介电强度。 1.3 本测试方法与 IEC 出版物 243-2 类似。该测试方法中的所有程...
静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理 维普资讯 http://www.cqvip.com
与时间相关电介质击穿 TDDB(time dependent dielectric breakdown ) 在栅极上加恒定的电压,使器件处于积累状态。这就是一般所说的TDDB(time dependent dielectric breakdown )。经过一段时间后,氧化膜就会击穿,这期间经历的时间就是在该条件下的寿命。 === 热载流子注入效应HCI (hot carrier injection) 随着芯片尺寸的...
ASTM D3755-14的标准全文信息,1.1本试验方法涵盖了固体电绝缘材料在直流电压应力下的介电击穿电压和介电强度的测定。 1.2由于某些材料需要特殊处理,因此还应参考ASTM规范或直接适用于待测材料的测试方法。请参阅测试方法 D149,确定电绝缘材料在商业电源频率下的介电强度。