三星贴片电容的X7R和C0G材质主要区别在于介电材料和温度特性，具体如下：1. 介电材料:X7R: 采用铁电材料作为介电质，具有较高的介电常数，能够实现较大的电容值。C0G (NP0): 采用非铁电材料作为介电质，介电常数较低，但温度稳定性极佳。2. 温度特性:X7R: 温度系数为±15%，即在-55℃到+125℃的工作温度
一、介电材料与电容值 X7R：采用铁电材料作为介电质，具有较高的介电常数，因此能够实现较大的电容值。C0G（NP0）：采用非铁电材料作为介电质，介电常数较低，但温度稳定性极佳，不过其电容值相对较小。二、温度特性 X7R：温度系数为±15%，即在-55℃到+125℃的工作温度范围内，其电容值变化不超过±15%。需...
C0G和NP0都是I类陶瓷电容,X7R、X5R、Y5U、Y5V都是II类瓷介电容。 I 类瓷介电容特点是容量稳定性好,基本不随之温度、电压、时间的变化而变化,但是容量一般较小;温度特性 (温度范围:-55度～125度、温度系数:0±30ppm/℃以内。 II类瓷介电容的容量稳定较差,X7R(工作温度范围:-55--125),X5R(工作温度范围:-5...
陶瓷芯片电容特点 C0G ( NP0 ), X7R , X5R , Z5U和Y5V电介质 10 ,,51电子网为您提C1210C102J2GAC供应商信息,C1210C102J2GACPDF资料信息,采购C1210C102J2GAC,就上51电子网。
陶瓷芯片电容 特点 C0G ( NP0 ), X7R , X5R , Z5U和Y5V电介质 10 , 16 , 25 , 50 , 100和200伏 标准终端金属化:镀锡镍 屏障 可用电容公差: ± 0.10 pF的; ±0.25 pF的; ±0.5 pF的; ± 1% ; ± 2% ; ± 5% ; ± 10% ; ± 20% ;和 +80%-20% 磁带和每EIA481-1卷轴包装。 (请参...
按照温度特性、材质、生产工艺。MLCC可以分成如下几种:NPO、COG、Y5V、Z5U、X7R、X5R等。NPO、COG温度特性平稳、容值小、价格高;Y5V、Z5U温度特性大、容值大、价格低;X7R、X5R则介于以上两种之间。 目前在便携产品中广泛应用的片式多层陶瓷电容器(MLCC)材料根据温度特性,主要可分为两大类:BME化的C0G产品和LOW ES...
综上所述,C0G电容要比X7R电容器好。总之在选择时,您应该根据实际需求权衡各个因素,以做出最佳的选择。希望本文能为您对C0G电容器和X7R电容器的比较有所帮助,使您能够更好地选择适合您应用的电容器。 上面就是本文的所有内容,已经详细地告诉你,C0G电容器和X7R电容器哪个更适合你。智成电子,作为TDK、村田、太诱这...
三星贴片电容的X7R和C0G材质主要区别在于介电材料和温度特性,具体如下: 1. 介电材料: X7R: 采用铁电材料作为介电质,具有较高的介电常数,能够实现较大的电容值。 C0G (NP0): 采用非铁电材料作为介电质,介电常数较低,但温度稳定性极佳。 2. 温度特性: X7R: 温度系数为±
三星贴片电容的X7R和C0G材质在多个方面存在显著差异,以下是对这两种材质的具体比较: 一、介电材料与电容值 X7R:采用铁电材料作为介电质,具有较高的介电常数,因此能够实现较大的电容值。 C0G(NP0):采用非铁电材料作为介电质,介电常数较低,但温度稳定性极佳,不过其电容值相对较小。
三星贴片电容的X7R和C0G材质在多个方面存在显著差异,以下是对这两种材质的具体比较: 一、介电材料与电容值 X7R:采用铁电材料作为介电质,具有较高的介电常数,因此能够实现较大的电容值。 C0G(NP0):采用非铁电材料作为介电质,介电常数较低,但温度稳定性极佳,不过其电容值相对较小。