以及VG=0时的C-V特性曲线相关知识点: 试题来源: 解析 答案: 1)VG较大的负偏压时,分母第二项趋于零,故C/Co=1 即C=Co,这时C-V不随电压变化-AB段 2)当VG的绝对值较小时,上式分母中第二项较大,不能省略,这时C/Co随/VG/的减小而减小-BC段 3)VG=0,表面势=0,表层电荷不存在,对能量的影响等于零,...
Varactor电容的C-V曲线是一种用于描述Varactor电容器的电容值与电压之间的关系曲线。Varactor电容器的电容值会随着所施加的电压而变化,因此可以通过C-V曲线来观察其电容值的变化趋势。 Varactor电容器的C-V曲线通常呈现出非线性的特征,这是因为其工作原理是基于半导体材料中的量子力学效应。在较低的电压范围内,C-V曲...
1、当source,drain和背栅接在一起。 低频时C-V变化曲线 2、当加在栅压上的交流电压频率为159T时,电容的曲线为: 高频时C-V变化曲线 下面再来讲一类常见的可变电容,这种电容工作在积累区,它随电压变化的线性度比较好,在电路中得到广泛的使用。当VGS大于0时,沟道积累多子,沟道导通的更厉害,电容即为栅氧电容。...
MOS管C-V电容变化曲线分享-KIA MOS管 MOS管电容分别由氧化层电容和半导体电容串联组成,Cox为固定电容值,和电容极板的厚度以及面积有关。Cs为可变电容,与MOS管的工作状态有关。 MOS管的结构和电容示意图 当VGS为负压时,源漏之间的N型沟道还没有形成,会使P型衬底的空穴在栅氧下方积累。这时候的MOS电容的绝缘介质...
同时在强反型时,耗尽层厚度达到最大值,当高频信号变化时,耗尽层厚度会产生轻微的变化来响应高频信号,所以在高频情况下强反型时MOS C-V电容只有耗尽层贡献。表达式如下: 所以高频C-V曲线如图5实线所示。 图6 MOS高低频C-V特性 关于反型层电荷的产生问题 在p-sub内部,载流子的产生与复合一直在发生并处于动态...
电容曲线表现为：常见可变电容类型在积累区工作，电压变化线性度良好，在电路中广泛应用。当VGS大于0时，沟道积累多子，导通更强烈，电容为栅氧电容。当VGS为负时，沟道吸引少子空穴，经历耗尽层和反型层，沟道电容与栅氧电容串联，电容值减小。反型后形成P沟道，源漏端不短接，与MOS电容有区别。
MOS电容C-V曲线绘制 方法一: dc扫描 AVDD 从-3扫到3V tools-result Brower-dcOpinfo-选定M0的Cgg 得到图线: 方法二:ac仿真 保存节点电流 ac 幅值1V 输出看GATE节点电流曲线: 需要处理数据: z=1/(sc) z=v/i i=sc*v=2*pi*f*c*v c=i/(2*pi*f*v) ...
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试画出在n型硅衬底上形成的理想MIS结构,在高频和低频的电容-电压C-V曲线,并在曲线上分别注明积累、平带、耗尽和反型的区域和位置。如果绝缘层中存在正电荷,在什么位置时对高频C-V没有影响?通过什么处理可以消除可移动正电荷的影响?(6分) 答案 答: C-V曲线如下所示:C-|||-反型-|||-积累-|||-低频-|...