电容测量是参数测试的一个领域,许多常见的测量错误是很容易预防的。其原因不在于用户知识的不足,而是缺乏对电容测量原理和如何实现电容测量方法的基本训练。可惜的是大学中通常并不传授这些知识,无论是在实验中,还是在阅读中。 工程师们在测量 (特别是在晶圆片上测量) 电容时为什么会犯那么多错误? 最常见的原因是...
深入理解MOSFET电容测量，其核心在于理解栅极至衬底电容与电压的密切关系。这个参数的准确测量，对于计算诸如Nsub和Vfb等重要参数至关重要。图8.1-8.3揭示了测量的路径和参数抽取的技巧，Keysight EasyEXPERT软件的强大在于其自动计算功能，使得复杂过程变得简便。准静态电容-电压响应并非孤立的测量，它受到制造...
关键一点是晶圆片卡盘与信号返回路径 (BNC 电缆外屏蔽或地) 间产生的电容性耦合。在使用四端对时,流过 DUT 的部分信号经电容耦合泄漏至晶圆片卡盘。这种情况下的测量阻抗如上面公式所描述。在这一公式中,如 果 Cp 和 Rp 的积小于Cr 和Rs 的积,所测阻抗的虚部即为正。由于 Rp 来自直接通过栅极介质隧道的电...