作为一个器件机制,隧穿并不是一个新概念。我们所使用的优盘内的闪存处理器、手机和其他装置都采用了隧穿技术来将氧化阻挡层上的电子注入电荷捕获区域。比如,在TFET中使用的隧穿结也广泛地用于连接多结太阳能电池和触发基于半导体的量子串级激光器。隧穿还控制着电流流过金属半导体触点(这是每个半导体设备的关键部分)...
《电子隧穿原理》是1998年科学出版社出版的图书 ,作者是舒启清。内容简介 本书全面记述了量子力学中的电子隧穿势垒效应研究工作的发展过程,介绍了电子隧穿的基本理论以及在各种隧道结中的具体处理方法、实验结果和应用。本书力求反映近年来电子隧穿研究工作的最新进展。本书可供物理学、化学和生物学等专业大学高年级...
其隧穿原理主要涉及热电子的产生和隧穿现象。 在热电子晶体管中,电子通过基极-发射极结构注入到晶体管的基区。这些注入的电子具有高能量,被称为热电子。当热电子进入基区时,由于晶体管的结构和材料选择,热电子会受到限制,无法很快地通过基区,而是与基区中的晶格发生相互作用。这个过程会导致一部分热电子的速度...
其工作原理是通过加热电极使电子从金属阱中跃出,然后经过隧穿效应进入相邻的金属阱中。在过程中,电子会带着能量跃迁,并在下一个金属阱中释放出能量,从而实现信号的放大和处理。 二、隧穿热电子转移放大器的工作方式 隧穿热电子转移放大器的工作方式可以分为两个阶段:激励阶段...
原理:带间隧穿Band-to-band tunneling简称BTBT BTBT是在1934年Zener提出,pn结在反偏状态下,n区导带中未被电子占用空能态与p区价带中被电子占用能态有相同能量,势垒区窄时,电子从p区价带隧穿到n区导带; 如下图所示: 双栅结构Si隧穿场效应晶体管
共振隧穿二极管的工作原理及其应用的介绍-共振隧穿二极管(Resonant tunneling diode)是一种纳米量子电子器件。利用超晶格中能带不连续的特点(energy discontinuity),势阱层中可产生量子效应,即载流子输运区域中可产生能级分立的量子态(quantized states)。以电子输运过程
电子隧穿原理PPT模板 电子隧穿原理 演讲人202X-11-11 0 1 前 言 前言 0 2 目 录 目录 0 3 第一章导论 第一章导论 1.1隧穿的概念1.2隧穿的早期应用1.3隧道谱学的产生和发展参考文献 0 4 第二章基本理论 第二章基本理论 2.1稳态法 2.6WKB 01 2.2转移哈 近似法06 密顿法 ...
工程技术书籍《电子隧穿原理》作者:舒启清 著,出版社:科学出版社,定价:13.00,在孔网购买该书享超低价格。《电子隧穿原理》简介:。