俄歇电子的逸出深度是指电子在固体材料中穿过时不被非弹性散射而能逃逸出表面的最大深度。该深度主要取决于电子的动能和材料的成分。由于俄歇电子的能量较低(通常为50-2000 eV),其非弹性平均自由程(IMFP)较短。根据实验数据,逸出深度通常为0.5到3纳米,对应材料的几个原子层厚度。这一特性使俄歇电子能谱(AES)成为一种表面敏感的分析技术,主要用于表层成...
答:当厚度t达到光电子逸出深度λ(Ek)的4倍时,光电子强度剩下不到光电子初始强度Iθ的2%; 当厚度t达到光电子逸出深度的3倍时,光电子强度剩下不到光电子初 始强度Iθ的5%,这是可认为全部信号已被衰减掉。 3λ(Ek)被定义为XPS信息深度或XPS分析深度 λ(Ek):金属材料 0.5-3nm 无机材料 2-4nm 有机高分子...
高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系
电子可以从砷化镓的表面逸出成为二次电子;高能原电子分别穿过AB段和CD段所激活的内二次电子可以分别到达BC段和DE段(AB段和CD段的长度都约为负电子亲和势二次电子发射材料镓铝砷的逸出深度),但是,因为AB段和CD段离砷化镓的表面距离都大于负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的逸出深度,所以在通常情况下,高能原电子...
电子逸出深度文献(pubmed) 赞助商链接以下为句子列表:英文: This model predicts an increased electron density with an increasing channel depth in subthreshold region or mild inversion region.中文: 模型显示,在亚阈值区或者弱反型区,电子密度随深度增加而增加;然而,在强反型区,它与深度无关,这与数值模拟的...
解析 基于常见资料中的标准答案,能保持特征能量逸出的俄歇电子仅限于表层以下**1-3 nm**的深度范围。 俄歇电子的逸出深度由其平均自由程决定,只有在材料浅表层(1-3纳米内)的电子才能未经能量损失而逸出,因此这一深度范围是分析俄歇能谱的有效采样区域。
良好的光电发射体,应该具备的基本条件: A. 光吸收系数大 B. 光电子逸出深度大 C. 表面势垒低 D. 电子亲和势大
物理光学 为什么当二次电子沿表面法向向外传播时,非弹性散射平均自由程近似等于逸出深度? 关注者2 被浏览66 关注问题写回答 邀请回答 好问题 添加评论 分享 暂时还没有回答,开始写第一个回答下载知乎客户端 与世界分享知识、经验和见解...
负电子亲和势二次电子发射材料砷化的逸出深度 0 次电子发射材料在低负电子枪中的效能释放系数在具有一定能量的原电子攻击下,将电子发射光刻在物体表面发射的现象被称为二级电子发射。二次电子数与原电子数之比被定义为二次电子发射系数。影响二次电子发射材料二次电子发射系数的因素很多,其中二次电子发射材料的脱出...
逸出深度 1. Based on the energy band characteristics of ordinary negative electron affinity emitter GaAs,the design of lengthening the diffusion lengths of negative electron affinity emitter GaAs was presented,and the special negative electron affinity emitter GaAs was designed. 根据通常负电子亲和势二...