由于 V 3d1 电子构型和镜面对称的破坏,可以自发地实现 156.5 meV 的谷极化(图2)。 图1. 2H-VTe2单层的(a)侧视图和(b)俯视图。2H-VTe2单层的(c)铁磁态,(d)方形反铁磁(AFM1)和(e)共线反铁磁(AFM2)的磁矩原子排列。 图2. 不考虑SOC的2H-VTe2单层 (a)和考虑SOC (b)的能带
由于反转和时间反转的不对称性,通过改变磁化取向,可以在导带中实现高达 110 meV 的可调谷极化,一阶扰动理论进一步验证了这一点。更令人兴奋的是,为实现反常山谷霍尔效应而掺入电子时,TiInTe3 单层中的平面外磁化偏好,从而产生自发的、更大的谷极化。掺杂后,室温以上的铁磁性在实验可达到的电子密度范围内仍然保持稳...
利用能谷自由度和自旋自由度作为信息载体的自旋谷电子学近年来吸引了科研人员的广泛关注,其在谷电子学器件领域具有潜在应用前景。通过控制电子在不同能谷中的数量,进而产生自旋谷极化是制成谷电子学器件的先决条件。 在本工作中,我们基于第一性原理计算提出了一种理想的候选材料来实现这些新奇的性质,即氰基修饰单层BiA...
谷极化主要由光的偏振选择性与自旋散射决定,并随电子浓度即T相组分的增加而增强;在垂直磁场作用下,T相诱导产生的局域磁矩受到磁场规范作用而产生非平衡的自旋电荷分布,从而增强相应的光学谷响应;随着磁场的进一步增强,其引起的塞曼效应在体系中产生能谷分裂,且引入T相后分裂能远大于磁场单独引起的塞曼分裂,从而进一步促...
集微网消息,低维量子材料具有谷电子自旋的独特性质,有望成为新一代信息材料在未来6G信息技术和产业中发挥重要作用。然而,如何实现低维量子材料的谷电子自旋极化调控是推动该材料实际应用面临的重大研究挑战之一。 近期,我国科学家设计了结构对称的纳米天线与六方氮化硼/二硒化钨/六方氮化硼的金属/介质复合纳米结构,...
8月18日至19日,第8届中国极化电子-离子对撞机(EicC)概念设计报告(CDR)研讨会在青岛举行。此次研讨会由山东大学主办,采取线上线下相结合方式进行。EicC项目负责人、中国科学院近代物理研究所副所长许怒研究员,山东大学副校长、青岛校区校长曹现强,山东大学讲席教授、粒子物理与粒子辐照教育部重点实验室主任梁作堂等出席...
利用能谷自由度和自旋自由度作为信息载体的自旋谷电子学近年来吸引了科研人员的广泛关注,其在谷电子学器件领域具有潜在应用前景。通过控制电子在不同能谷中的数量,进而产生自旋谷极化是制成谷电子学器件的先决条件。 在本工作中,我们基于第一性原理计算提出了一种理想的候选材料来实现这些新奇的性质,即氰基修饰单层BiA...
2 中的转角进行调控. 在13 K条件下, 通过耦合n型AlGaN, 单层WS 2 的谷极化率高达82.2%. 这是由于AlGaN的电子-声子相互作用会带来更高的激子衰减速率, 且掺杂导致的载流子屏蔽效应会减少层间谷散射. 层间激子的谷极化率明显高于层内激子, 这是由于在层间激子中电子-空穴相互作用较弱, 导致层间谷散射受到抑制...
由于反转和时间反转的不对称性,通过改变磁化取向,可以在导带中实现高达 110 meV 的可调谷极化,一阶扰动理论进一步验证了这一点。更令人兴奋的是,为实现反常山谷霍尔效应而掺入电子时,TiInTe3 单层中的平面外磁化偏好,从而产生自发的、更大的谷极化。掺杂后,室温以上的铁磁性在实验可达到的电子密度范围内仍然保持...
由于反转和时间反转的不对称性,通过改变磁化取向,可以在导带中实现高达 110 meV 的可调谷极化,一阶扰动理论进一步验证了这一点。更令人兴奋的是,为实现反常谷霍尔效应而掺入电子时,TiInTe3单层中的平面外磁化偏好,从而产生自发的、更大的谷极化。掺杂后,室温以上的铁磁性在实验可达到的电子密度范围内仍然保持稳定...