4月11日，川观新闻记者从电子科技大学获悉，该校基础与前沿研究院教授刘奥与物理学院研究员朱慧慧在国际顶尖学术期刊《自然（Nature）》上发表论文，该项研究首创高迁移率稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域20余年的研究瓶颈，将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。该成...
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4月11日,四川在线记者从电子科技大学获悉,该校基础与前沿研究院教授刘奥与物理学院研究员朱慧慧在国际顶尖学术期刊《自然(Nature)》上发表论文,该项研究首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件,突破该领域20余年的研究瓶颈,将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。该成果由电子...