电子束光刻作为下一代光刻技术的核心方向之一,其本质是利用电子波长短(<0.1nm)的特性突破光学衍射极限。 相较于传统光学光刻,电子束系统通过高能电子与物质相互作用直接激发光刻胶化学反应,其精度极限由电子束斑尺寸和扫描控制精度决定,本文分述如下: 直写式电子束光刻 直写式电子束光刻(EBL...
电子束光刻作为下一代光刻技术的核心方向之一，其本质是利用电子波长短（<0.1nm）的特性突破光学衍射极限。相较于传统光学光刻，电子束系统通过高能电子与物质相互作用直接激发光刻胶化学反应，其精度极限由电子束斑尺寸和扫描控制精度决定，本文分述如下：直写式电子束光刻 电子束光刻中的邻近效应 多电子束光刻 投影...
电子束光刻作为下一代光刻技术的核心方向之一,其本质是利用电子波长短(<0.1nm)的特性突破光学衍射极限。 相较于传统光学光刻,电子束系统通过高能电子与物质相互作用直接激发光刻胶化学反应,其精度极限由电子束斑尺寸和扫描控制精度决定,本文分述如下: 直写式电子束光刻 电子束光刻中的邻近效应 多电子束光刻 投影式...
ASML的光学投影光刻机的热度经久不衰，伴随着High NA EUV光刻机和国产光刻机概念引发的关注，各种行业研报层出不穷。相比之下，电子束光刻的赛道就显得冷清了。除了常规的科研方向的应用外，小规模试产，量子芯片也是电子束光刻机的主要应用。而光罩厂中的光罩图形化，则是当下电子束光刻最重要的用途，其重要性...
ASML 的光学投影光刻机的热度经久不衰,伴随着 High NA EUV 光刻机和国产光刻机概念引发的关注,各种行业研报层出不穷。相比之下,电子束光刻的赛道就显得冷清了。 除了常规的科研方向的应用外,小规模试产,量子…
对电子束直接写入历史的回顾突出了该技术的机会与局限,特别是聚焦于目前欧洲和美国ML2发展努力所面临的工程技术挑战。还将简要报告ML2方法的现状并进行风险评估。关键词:电子束光刻(Electron beam lithography)、吞吐量(throughput)、形状化电子束(shaped beams)、大规模并...
直写式电子束光刻 电子束光刻中的邻近效应 多电子束光刻 投影式电子束光刻 1 直写式电子束光刻 直写式电子束光刻(EBL)作为纳米尺度图形加工的核心技术,其技术演进深刻反映了精度与效率的矛盾统一。 一、扫描策略革新 电子束与物质相互作用的时间决定了图形精度,而扫描路径规划直接影响加工效率。
英国电子束光刻中心的落地，标志着替代 EUV 的技术不再停留在纸面，而是开始具备实际应用价值。虽然短期内 ASML 的垄断地位难以动摇，但其面临的竞争压力正在显著增加。未来的芯片制造设备领域，可能会形成多种技术路线并存的格局 ——EUV 在大规模先进制程中保持优势，电子束、纳米压印等技术在特定领域实现突破。这场...
当然，电子束光刻并不是唯一的“搅局者”。日本佳能的NIL（纳米压印技术）近年来也频频传出捷报。据说，这项技术已经投入实际生产，能制造5nm芯片，且成本比EUV低得多。此外，美国的DSA（自生长技术）、俄罗斯的X射线光刻方案等也在加紧研发中。面对这些“新秀”的挑战，ASML当然不可能坐以待毙。它正在研发下一代高...
除了常规的科研方向的应用外,小规模试产,量子芯片也是电子束光刻机的主要应用。而光罩厂中的光罩图形化,则是当下电子束光刻最重要的用途,其重要性丝毫不亚于 ASML 的各型光刻设备。 电子束与光:殊途同归 电子本身所具有的波粒二象性决定了,更高的能量下,其具有的更高的频率能够等效于更小的波长。当电子束的能...