电力晶体管的工作原理是基于PN结的电子输运和控制。 我们需要了解PN结的结构和性质。PN结是由P型和N型半导体材料的结合而成。P型半导体材料中掺杂有大量的电子空穴,而N型半导体材料中掺杂有大量的自由电子。当P型和N型材料相接触时,自由电子和电子空穴会发生扩散,形成一个空间电荷区域。在该区域中,自由电子和电子...
与普通的双极型晶体管基本原理是一样的,基本结构有NPN和PNP两种结构,在电子电路中主要采用NPN结构。采用集成电路工艺将许多这种单元 电力晶体管GTR (Giant Transistor)直译为巨型晶体管)耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor——BJT),英文有时候也称为Power BJT,在电力电子技术的范围内,GTR与...
MOSFET: 电流!夹断你!→结构与符号 电力MOSFET,也称为功率MOSFET,全称是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,或者称为Power MOSFET,有时也简称为MOS管。在电力MOSFET中,应用最多的是N沟道增强型,而且常用垂直导电的双扩散结构。→工作原理 (1)小
IGBT!未来可期!本集要介绍最后一种电力电子器件:IGBT,绝缘栅双极晶体管,Insulated Gate Bipolar Transistor。→工作原理 IGBT是一种将MOSFET和晶体管结合而成的复合器件,具有MOSFET驱动功率小,驱动电路简单的特点,也兼顾了晶体管通流能力很强、耐压高的优势。→结构
电力晶体管的工作原理 电力晶体管(Giant Transistor—GTR),是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT。但其驱动电路复杂,驱动功率大。 GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。 在电力电子技术中,GTR主要工作在开关状态。GTR通常工作在正偏(Ib>0)...
电力晶体管(Giant Transistor——GTR)按英文直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar JunctionTransistor——BJT) GTR的结构和工作原理与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 最主要的特性是耐压高、电流大、开关特性好。
一、电力晶体管的工作原理 电力晶体管是一种开关型器件,其主要工作原理是控制电压,使电晶体处于导通或截止状态,实现电流的控制。电力晶体管的结构与场效应管类似,由n型硅(N+)和p型硅(P)交错排列构成。当源极电压为正值时,基极感应出一个p型区,并将其击穿,使电流流经电晶体,...
电力场效应晶体管的工作原理是:在截止状态下,漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区域N漂移区之间形成的PN结反偏,漏源极之间无电流流过;在导电状态,在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘垫,所以不会有栅极电流流过,但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的电子吸引到栅极下面的P区表面。
电力晶体管是一种高压、大电流、高频输电和控制电流方向的新型半导体器件。它是在普通的金属-半导体接触的基础上发展起来的,由于其具有体积小、重量轻、可靠性高、寿命长、结构简单等优点,被广泛应用于电力电子、通讯、计算机、电...