〔1〕根据题意,存储器总容量为64KB,故地址线总需16位。现使用16K×1位的DRAM芯片,共需32片。芯片本身地址线占14位,所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成整个存储器 ,其组成逻辑框图如下图,其中使用一片2:4译码器 (2) 根据条件,CPU在1μs至少需要访存一次,所以整个存储器的平均读/写周期与单个存储...
用16K×1位的存储芯片,构成64K×8位的存储器,需要( )片芯片。A.8B.16C.32D.64
百度试题 题目用16K×1位的DRAM芯片构成64K×8位的存储器,需要( )。 A.4片B.8片C.16片D.32片相关知识点: 试题来源: 解析 D 反馈 收藏
(15分)用16K × 1位的DRAM芯片构成64K × 8位的存储器。要求:(1)画出该芯片组成的存储器逻辑框图。(2)设存储器读 / 写周期均为μs,两次刷新的最大时
解:①字位同时扩展,需要的DRAM芯片片数=(64K×8)/(16K×1)=32片 ②字位同时扩展,将32片DRAM芯片分成4组(组间字扩展),每组8片(组内位扩展),每片DRAM芯片地址线7根,分别送入7位行地址和7位列地址,故存储器芯片需连到系统总线的14根地址线(A13—A),而片间要通过2:4译码器实现字扩展,译码器的2输入...
百度试题 结果1 题目用存储容量为16K×1位存储器芯片来构成一种64K×8位存储器,则在字方向和位方向上分别扩展了()倍 A. 4和2 B. 8和4 C. 2和4 D. 4和8 相关知识点: 试题来源: 解析 D、4和8 反馈 收藏
解:由于要使CPU在1s内至少访问存储器一次,而存储器的读写周期为0.5s,故不可采用集中式刷新方式,因为集中是刷新的死时间会超过1s,从而不可保证CPU在1s内至少访问存储器一次,故采用分散刷新方式比较合适。 设16K*1位的DRAM芯片采用地址复用后,采用128*128的排列方式,则将2ms分成128个时间段,...
用16K*1位的DRAM芯片(由128*128矩阵存储元构成)组成64K*8位存储器。设存储器读/写周期都是0.5µs。若采用异步刷新方式,两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍,所需要的实际刷新时间是多少?若采用集中刷新方式,对全部存储单元刷新一遍,所需要的实际刷新时间是多少? 相关知识点: 试题来源: 解...
用16K*1位的DRAM芯片(由128*128矩阵储存元构成)构成64K*8位储存器。设存储器读/写周期都是μs。若采纳异步刷新方式,两次刷新的最大时间间隔是多少对全部储
用16K×1位的DRAM芯片构成64K×8位的存储器,设存储器的读写周期为0.5μs,要使CPU在1μs内至少访问存储器一次,问采用哪种刷新方式比较合适?若每行刷新间隔不超过2ms,该方式下刷新信号的间隔是多少? 点击查看答案 您可能感兴趣的试卷