在本文中,我们将不同形式的迁移率引入定量相场模型中,以产生任意的Ehrlich-.Schwoebel(ES)效应。 在单步流动模型中进行了收敛性研究,结果表明,原始的迁移率不仅会引起ES效应,而且会随着步幅的增加而导致更大的数值不稳定性。提出了ES障碍,发现它更适合于大规模仿真。 对婚礼蛋糕的结构,岛的粗化和合并以及螺旋形增长...
通过在第二AlGaAs势垒层(增强型势垒层)与InGaP势垒层(耗尽型势垒层)之间设置由GaAs插入层及GaP插入层组成的外延插入层,进行第二AlGaAs势垒层生长后先依次生长GaAs插入层及GaP插入层,然后进行InGaP势垒层的生长,可有效避免As和P交换过程的影响产生的低带隙InGaAs或InGaAsP中间层,同时外延插入层还可降低甚至避免第二AlGaA...
金融界2024年11月26日消息，国家知识产权局信息显示，郑州势垒科技有限公司取得一项名为“一种金刚石生长的MPCVD基片台”的专利，授权公告号CN 222043347 U，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本申请涉及一种金刚石生长的MPCVD基片台，包括底盘、顶盘、中间盘和水冷台，底盘和顶盘之间通过多个导向轴连接，中间盘位...
金融界 2024 年 12 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，郑州势垒科技有限公司取得一项名为“种用于金刚石生长的 MPCVD 装置”的专利，授权公告号 CN 222182548 U，申请日期为 2024 年 4 月。专利摘要显示，本申请涉及一种用于金刚石生长的 MPCVD 装置，包括壳体，其具有上盖，壳体内设有水冷台，水冷台上端...
进一步优选地,所述aln势垒层的厚度为1～15nm。 在本发明提供的aln势垒层、aln/ganhemt外延结构及其生长方法中,由于铒的原子半径比al大,稀土元素铒掺入aln势垒层后,会在aln材料中产生晶格畸变从而提高aln势垒层的压电性能;另外,由于铒的电负性小,增加了aln势垒层中的离子键比例,进一步增强了稀土掺杂aln势垒层的压电...
摘要:本文首次报道了由氢化物气相外延(HVPE)生长的垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管(SBD)。由于HVPE生长的碳杂质浓度较低,电场有效迁移率从734 cm2•V-1•s-1提高到1188 cm2•V-1•s-1。利用该技术制备的器件具有0.52 V的低开启电压和7.1×109的高开关比。电流密度为500 A/cm2时,比导通电阻RON为1.69...
成核生长相变过程中**，均态核化临界晶核半径$r^*$和形成临界晶核时的相变势垒$\Delta F^*$之间的关系可以通过以下推导得到。首先，根据热力学第一定律，相变势垒可以表示为：\Delta F = U - T\Delta S 其中$U$是系统的内能，$T$是温度，$\Delta S$是系统的熵变。对于均态核化临界晶核...
AlN势垒层、AlN/GaNHEMT外延结构及其生长方法专利信息由爱企查专利频道提供,AlN势垒层、AlN/GaNHEMT外延结构及其生长方法说明:本发明提供了一种AlN势垒层、AlN/GaNHEMT外延结构及其生长方法,其中,AlN/GaN...专利查询请上爱企查
金属诱导能隙态导致的费米能级钉扎进一步增加了单层TMDS中的肖特基势垒高度。另一方面,量子传输模拟一直表明,双层TMDs是平衡亚纳米节点性能和功耗的最佳选择。在实验上,虽然对双层TMD装置(基于分离的薄片)的初步研究显示了有希望的性能,但是大面积均匀双层膜的生长被证明是非常具有挑战性的。以前使用化学气相沉积(CVD)的...
测量单个纳米气泡成核,活化能势垒非均相气泡成核,纳米泡异质成核,双光阱光镊测力,Ashkin在三维空间中的计算方法,大气污染与雾霾研究,水污染与油水分离,藻类生长与环境关系,界面化学-Aresis China | 艾锐斯科技(北京)有限公司