简单的说就是:类似硅通孔(TSV)的金属填充方案也可以应用在玻璃通孔(TGV)工艺技术上。首先,制作玻璃通孔(TGV)工艺技术盲孔;其次,通过物理气相沉积(PVD)的方法在玻璃通孔(TGV)工艺技术盲孔内部沉积种子层;再次,自底向上电镀,实现TGV 的无缝填充;最后,通过临时键合,背面研磨、化学机械抛光(CMP)露铜,解键合,形成玻...
与TSV这一概念相对的，在玻璃基板上制造的通孔也被称为玻璃通孔(throughglassvia,TGV)。基于IPD与TGV工艺制造的三维电感器照片如下图所示，由于玻璃衬底的电阻率远高于Si等常规半导体材料，因此TGV三维电感器具有更优异的绝缘特性，在高频下衬底寄生效应所造成的插入损耗要远小于常规TSV三维电感器。另一方面，还可在...
“简单来说，就是在玻璃上打孔、填充和上下互联，以玻璃为楼板构建集成电路的高楼大厦。”张教授在接受封面新闻记者专访时，将玻璃通孔技术用了一个“搭房子”的比喻解释。记者查阅资料发现，TGV玻璃通孔技术被认为是下一代三维集成的关键技术。玻璃是一种可能替代硅基转接板的材料，与硅通孔（TSV）相比，TGV具有低...
英特尔旗帜鲜明地用玻璃基板讨伐硅基板得到了业界对玻璃通孔（TGV）技术及基板性能的极大兴趣和未来憧憬。今后，英特尔将生产面向数据中心的系统级封装（SiP），具有数十个小瓦片（tile），功耗可能高达数千瓦，且需要非常密集的Chiplet互连，同时确保整个封装在生产过程中或使用过程中不会因热量而弯曲。国内方面厦门大学...
玻璃通孔(TGV,Through-Glass Via)技术是一种在玻璃基板上制造贯穿通孔的技术,它与先进封装中的硅通孔(TSV)功能类似,被视为下一代三维集成的关键技术。TGV技术不仅提升了电子设备的性能和可靠性,还推动了整个电子封装行业的创新发展。本文将对TGV技术的基本原理、制造流程、应用优势以及未来发展进行深度解析。
玻璃通孔(TGV)互连技术具有高频电学特性优异、成本低、工艺流程简单、机械稳定性强等应用优势,在射频器件、微机电系统(MEMS)封装、光电系统集成等领域具有广泛的应用前景。综述了国内外高密度玻璃通孔制作、金属填充、表面高密度布线的研究进展,对玻璃通孔技术特点及其应用进行了总结。
TSV（Through Silicon Via）是指通过在硅中介层打孔的方式实现实现垂直互联，而与之对应的TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）是指穿过玻璃基板的垂直电气互连，它们都通过在中介层打孔并进行电镀填充来实现垂直方向的电气互联，以此来降低信号传输的距离，增加带宽和实现封装的小型化。而与TSV不同的是，TGV的中介层...
与前述三种方法不同,激光钻孔法是纯粹的物理方法,主要通过高能激光照射使指定区域的衬底材料熔化并蒸发,以物理方式实现TSV的通孔构建。 利用激光钻孔法形成的通孔深宽比高,且侧壁基本垂直,但由于激光钻孔实质上是采用了局部加热的方式来形成通孔,TSV的孔壁会...
先进封装在半导体产业的比重稳步提升,其发展与通孔互连技术的演进和加工精度的提高息息相关。在高密度、高集成度先进电子系统时代,实现高性能 SiP 和 AiP 应用的中介层和基板至关重要。 玻璃通孔 (TGV)为具有挑战性且昂贵的硅技术提供了一种成本更低、损耗更低的替代方案。面向未来,TGV基板将在3D集成半导体封装广...
先进封装在半导体产业的比重稳步提升,其发展与通孔互连技术的演进和加工精度的提高息息相关。在高密度、高集成度先进电子系统时代,实现高性能 SiP 和 AiP 应用的中介层和基板至关重要。 玻璃通孔 (TGV)为具有挑战性且昂贵的硅技术提供了一种成本更低、损耗更低的替代方案。面向未来,TGV基板将在3D集成半导体封装广...