二维环栅晶体管，顾名思义，“二维”指二维半导体材料、“环栅”表示栅极全环绕包围半导体沟道的结构。二维环栅晶体管是未来集成电路芯片功耗缩放与性能释放的最优解之一，这已成为学术界和工业界的共识，但是当前最高水平的二维环栅晶体管的性能与功耗尚不能和主流硅基晶体管相比，此外还缺乏规模化制备二维环栅
近日,北京大学团队造出世界首例低功耗二维环栅晶体管(2D GAAFET,gate-all-around field-effect transistor),并研制出一系列二维环栅逻辑器件,这一材料体系也是由中国科学家自主研发的材料体系之一。 所谓“环栅”,指的是栅极以全环绕方式包围...
二维环栅晶体管,顾名思义,“二维”指二维半导体材料、“环栅”表示栅极全环绕包围半导体沟道的结构。二维环栅晶体管是未来集成电路芯片功耗缩放与性能释放的最优解之一,这已成为学术界和工业界的共识,但是当前最高水平的二维环栅晶体管的性能与功耗尚不能和主流硅基晶...
据多家媒体报道，2025年2月21日，北京大学彭海琳教授团队与邱晨光研究员团队合作研制的二维环栅晶体管登上国际顶尖学术期刊《自然·材料》封面。这枚仅原子厚度的晶体管，其运算速度和能效不仅超越英特尔、台积电等国际巨头的硅基芯片，更突破人类沿用60余年的“硅基物理极限”——这一成就被外媒称为“中国对摩尔定律的...
近日,北京大学团队造出世界首例低功耗二维环栅晶体管(2D GAAFET,gate-all-around field-effect transistor),并研制出一系列二维环栅逻辑器件,这一材料体系也是由中国科学家自主研发的材料体系之一。 (来源:Nature Materials) 所谓“环栅”,指的是栅极以全环绕方式包围半导体沟道的结构。本次二维环栅晶体管的速度和能效...
北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队与北京大学电子学院邱晨光研究员团队合作，研制出世界首例低功耗高性能二维环栅晶体管及逻辑单元，该晶体管的速度和能效同时超越了硅基物理极限，是世界上迄今速度最快、能耗最低的晶体管。该工作有望推动芯片领域新一轮技术革新，为我国先进制程集成电路制造技术发展赢得主动。相关...
中国大陆的制造工艺暂时还不能生产出同等精度的硅基晶体管。但如果以中国大陆现有加工技术制造的该新型二维环栅晶体管,据课题组预估,其速度已可以达到国际上最先进硅基芯片的约1.4倍,而能耗仅为其90%。随着制造工艺精度的提升,这些指标将与硅基器件进一步拉大领先优势。
近日,北京大学团队造出世界首例低功耗二维环栅晶体管(2D GAAFET,gate-all-around field-effect transistor),并研制出一系列二维环栅逻辑器件,这一材料体系也是由中国科学家自主研发的材料体系之一。 图片 (来源:Nature Materials) 所谓“环栅”,指的是栅极以全环绕方式包围半导体沟道的结构。本次二维环栅晶体管的速度和...
近日,北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队与电子学院邱晨光研究员团队合作,研制出世界首例低功耗高性能二维环栅晶体管及逻辑单元,成果在《自然-材料》发表。该晶体管的速度和能效同时超过了硅基物理极限,是世界上迄今速度最快、能耗最低的晶体管。该工作有望推动芯片领域新一轮技术革新,为我国先进制程集成电路制造...
▣ 基础研究的潜力 当前，这种二维环栅晶体管不仅可用于制造高性能传感器和柔性电子器件，还展现出更大的潜力。研究团队发现，铋基二维晶体管不仅科学内涵丰富，而且应用前景广阔。他们正在深入探索，随着技术的不断优化，这类晶体管有望实现传感、存储、计算的一体化集成，这种集成创新将推动更具竞争力的技术革新。