创新NOR发明人、中天弘宇集成电路有限责任公司首席科学家王立中博士经过十余年的研发积累,带领研发团队完成了对原有NOR闪存机理和结构创新,解决了NOR闪存成本高、容量小等普遍缺陷,使NOR闪存芯片的记忆单元面积有望达到与NAND闪存一样的理论最小值4F2,打开了未被开发的高密度存储市场。 在12月17日的东京“中日闪存...
专利名称 一种超短沟道NOR闪存阵列、制造工艺及编程方法 申请号 2022113041555 申请日期 2022-10-24 公布/公告号 CN115579041A 公布/公告日期 2023-01-06 发明人 王立中 专利申请人 芯立嘉集成电路(杭州)有限公司 专利代理人 吴文杰 专利代理机构 杭州裕阳联合专利代理有限公司 专利类型 发明专利 主分类号 G11C...