在近期召开的第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)的“氮化物半导体固态紫外技术”分会上,华南师范大学研究员王幸福做了题为“GaN微纳结构及其光电子器件研究”的主题报告。 GaN微纳米器件涉及纳米线阵列LED、纳米线柔性LED、纳米线激光器、纳米线集成光波导等,由于难以实现纳米尺...
王幸福博士毕业于华南师范大学,2014年至2017年,在佐治亚理工学院王中林教授课题组担任访问学者和研究工程师。现任华南师范大学研究员、青年拔尖人才,2018年广东省“杰出青年”基金获得者。迄今为止,作为第一或通讯作者在Advanced Materials、Nano Letters、ACS Nano、Nano Energy二十余篇,并获得多项发明专利。主持有国家自...
王幸福,博士,研究员,硕士生、博士生导师。 1986年生于安徽萧县,2010年进入华南师范大学攻读硕士和博士学位,主要研究方向为GaN纳米材料的MOCVD制备及性能研究;2014-2017年以国家公派联合培养博士生身份在美国佐治亚理工学院进行研究工作,合作导师是国际顶尖纳米材料科学家、中科院外籍院士Zhong Lin Wang教授,期间主要从事基于...