该成果以创新的设计成功研制一种片上集成新型波导结构中红外半导体激光器,基于选择性调控模式损耗机理有效降低了激光侧向发散角,在基本不增加工艺制备复杂性和成本前提下,实现了更高功率、窄发散角稳定功率输出。该结构和制备技术可兼容其他半导体材料不同波段激光器,是现实高集成化、高亮度激光技术应用的理想技术路线之一。
片上集成光纤激光器,其实就是一种微型化的激光器,也可以叫做芯片级激光器。这种激光器是通过集成技术,把激光器和其光学元件做得非常小,小到能集成到芯片上。这样一来,应用激光器的仪器就可以进一步小型化,还能尽可能减少外部电源的使用呢。这种激光器在数据通信、激光雷达、生化传感等领域都有广泛的应用,可以说是高...
几十年来,激光器与硅基光电子技术的单片集成一直是一个活跃的研究领域,与其他集成方案相比,有望实现更高的集成密度和更低的生产成本。量子点 (QD) 激光器利用自组装 InAs 量子点作为有源区,由于其卓越的温度稳定性、低阈值电流密度和高可靠性,已成为片上激光源的理想候选器件。 本文探讨John Bowers课题组最近在...
这种将量子点激光器集成到硅光芯片上的技术,不仅具有显著的低成本优势,更兼具两者协同效应所带来的性能优势,为硅光技术的进一步发展提供了具有大规模产业应用前景的解决方案。 图2:片上量子点激光器示意图及器件图片(整个工艺流程在4寸硅基晶圆上完成) 片上激光器的应用 硅基III-V族片上激光器可结合III-V族材料...
近日，来自哥伦比亚大学、上海交通大学以及塔夫茨大学的研究人员，在光学大家Michal Lipson教授的协调带领下，共同设计出了一种如图2所示的全新片上集成芯片级激光器。该团队所设计出的激光器，真正实现了全模块的微型集成，在确保了极低的空间占有率的同时，也能够大幅降低片上光源的设计成本。此外，该激光器也能够在较...
与硅波导耦合和不耦合的SOI衬底上嵌入式InAs/GaAs量子点激光器的连续波特性 总而言之,通过在预先图案化的SOI沟槽内直接生长InAs/GaAs量子点激光器,实现了具有硅波导输出的SOI衬底上的单片集成III-V族激光器。为了在SOI衬底上获得高质量的III-V族增益材料,本研究采用了(111)面硅V型槽的同质外延生长和InGaAs/GaAs...
金融界2023年11月30日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“集成锁模激光器芯片结构、测量系统及制造方法“，公开号CN117134184A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本发明提供一种集成锁模激光器芯片结构、测量系统及制造方法，该结构包括：掺杂薄膜、增益微腔和调制模块，所述增益微腔形成于掺杂薄膜...
近日,北京大学“极端光学创新研究团队”发展了一种高精度的暗场光学成像定位技术,并结合电子束套刻工艺,实现了片上量子点微盘激光器与银纳米线表面等离激元波导的精确、并行、无损集成。
基于III-V 增益材料的半导体激光器因其直接带隙特性而被证明是理想的激光源。然而,将这些激光器与硅基光电子技术整合在一起却面临着重现性、可扩展性、高效耦合和激光性能等方面的挑战。单片集成、异构集成和混合集成是目前探索的三种主要方法,每种方法都有各自的挑战。
芯片基底上方;光子集成芯片基底一方面可以采用III‑V族化合物半导体材料,另一方面可以采用硅光半导体材料,硅光半导体材料的指定区域上方需要是III‑V族化合物半导体材料;分布布拉格反射激光器包括后反射区、增益区、相位区、光波导和前反射区,其用于产生窄线宽激光信号;半导体光放大器与前反射区连接,用于激光信号的放大...