金融界 2024 年 10 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体封装件”的专利，公开号 CN 118785725 A，申请日期为 2023 年 12 月。专利摘要显示，本申请涉及半导体封装件。一种半导体封装件包括封装基板、层叠在封装基板上方的多个存储器芯片、以及设置在封装基板上方以与多个...
金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号 CN 118782111 A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，公开了半导体器件。在一个实施例中，半导体器件包括：存储单元阵列，该存储单元阵列包括：多个第一导线，其在第一方向上延伸；多个第二导线，其...
金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN 118785707 A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：下部结构；第一单元隔离层和第二单元隔离层，第一单元隔离层和第二单元隔离层沿垂...
爱思开海力士申请半导体芯片和半导体系统专利，能够减少数据信号传输路径的寄生电容 金融界2024年11月12日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体芯片和半导体系统”的专利，公开号 CN 118921989 A，申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体芯片和半导 体系统。在所公开技...
爱思开海力士申请半导体装置以及半导体装置的制造方法专利，包括多种半导体结构 金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置以及半导体装置的制造方法”的专利，公开号 CN 118943088 A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法...
爱思开海力士申请半导体存储器设备和制造专利，提高半导体存储器设备性能 金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器设备和制造半导体存储器设备的方法”的专利，公开号CN 119136553 A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本公开涉及半导体存储器设备和制造半导体...
金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置”的专利，公开号 CN 118829216 A，申请日期为2021年2月。专利摘要显示，本申请公开了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：栅极层叠体；绝缘层，其与栅极层叠体交叠；第一源极层，其包括在栅极层叠体和...
爱思开海力士申请半导体器件和用于形成其的方法专利，用于形成半导体器件 金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件和用于形成其的方法”的专利，公开号CN 118943170 A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本公开涉及半导体器件和用于形成其的方法。一种半导体器件...
爱思开海力士申请半导体装置专利，提供了一种独特的半导体装置 金融界2024年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN 118765112 A，申请日期为2020年11月 。专利摘要显示，本申请提供了半导体装置。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括导电层和绝缘层彼此...