一、热量对芯片的影响 半导体芯片是一种高度集成的电子器件,由于其体积小、功耗高,会产生大量的热量。如果不及时排除这些热量,会导致芯片的温度过高,从而影响芯片的性能和寿命。具体来说,高温会导致电子器件内部的材料结构发生变化,从而影响芯片的电学特性和机械性能,甚至会导致芯片失效。...
集成电路工艺中，多步退火过程中有(Dt)eff=D1t1+D2t2+...+Dntn，其物理意义就是要取得一定的扩散深度，可以采用多补退火（推进）的方式实现。上式左边的(Dt)eff就是热预算，其单位为cm^2，你可以任意搭配等式右边的式子，以完成热预算的要求。
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化合物半导体在新能源、5G通信、物联网、AI人工智能等前沿技术领域中展现出了巨大的应用前景和发展空间,而随着SiC、GaN等第三代半导体材料被广泛使用,在应用升级的推动下,对于晶圆和化合物半导体的热处理技术要求也越来越高。传统的炉管退火工艺利用长时间的高温处理消除离子注入损伤、应力释放等,但存在缺陷消除不完全...
金融界2025年1月16日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“新型存储器及其制备方法”的专利,公开号CN 119300361 A,申请日期为2024年10月。 专利摘要显示,本发明提供了一种新型存储器及其制备方法。本发明通过于有源区对应的衬底上直接形成存储单元减少存储单元相关工艺热预算对前道制程器件...
(e)p型和n型金属-氧化物-半导体(p-MOS和n-MOS)硅晶体管在MOCVD生长前后的转移特性。(f)p-MOS和n-MOS硅晶体管在MOCVD工艺前后的输出特性。(g&h)用于BEOL集成的硅CMOS样品上MoS2晶体管的转移和输出特性。(i)MoS2-硅SRAM单元的电路原理图。(j)异质集成的MoS2-硅SRAM电路的光学显微镜图像。(k)MOCVD工艺前后和...
应用材料公司申请晶体管的集成偶极区专利，满足缩减厚度与较低热预算要求 金融界2025年4月30日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“晶体管的集成偶极区”的专利，公开号CN119896065A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，描述了制造与处理半导体装置(即，电子装置)的方法。本公开内容的实施方式有...
宽带卷积处理(BCP)是提取目标输入模式中关键特征的典型技术,尤其适用于包含从紫外到红外的多波段信息的遥感图像。在生物视网膜系统的启发下,研究人员进一步提出了感知端的BCP技术,使模拟域图像信息能够直接在视觉传感器中被捕获和处理,有利于大幅度降低系统功耗和时间延迟。然而,由于传统互补金属氧化物半导体(CMOS)平台中前...
以铟镓锌氧化物(IGZO)作为代表的宽禁带半导体材料,可以有效抑制关态漏电流,具有理想的迁移率、低热预算等优点,在三维堆叠存储器、单片三维集成中具有重要的应用潜力,有助于提高晶体管的集成密度。 查看图片 引用: 2024-06-21 13:18 2023年年报,微导纳米公司发展战略: ...
例如,高温工艺可能导致不良的扩散和界面化学反应,严重影响10 nm以下节点半导体工艺的良率。低热预算材料,如非晶氧化物半导体(AOS)和柔性基板,与铁电材料不兼容。此外,高温退火引发的死层问题可能显著降低铁电性能。因此,降低铁电器件的加工温度至300 ℃以下甚至更低具有重要意义。