一、热声子瓶颈效应的来源 热声子瓶颈效应最明显的原因就是计算机系统的设计瓶颈。在传统的计算机系统中,通信、计算和存储器是分开的,这意味着在处理大规模数据集时,这些资源都没有得到充分利用,从而使整个训练过程变得非常缓慢。因此,要解决热声子瓶颈效应,需要采取一些措施来优化计算机系统设计,尽可能地利用所有资源。
所有含有机阳离子的PQD的初始快速冷却阶段(<1 ps)的寿命都比 CsPbI3 QD的短,这已通过从温度相关的光致发光光谱中提取的电子-声子耦合强度得到验证。在大于1个太阳的光照下,合金PQD的缓慢冷却阶段的寿命更长,这归因于在合金PQD中引入了共振光学声子模式。这促进了有效的声子上转换并增强了热声子瓶颈效应,如第一...
然而,该材料体系中的声子瓶颈效应(PBE)机理目前尚不明晰.文章主要研究了CdSe/CdS核壳量子点(QDs)和纳米片(NPLs)中的PBE机理;通过稳态光致发光(SSPL)和皮秒时间分辨尺度光致发光(ps-TRPL)技术,计算该材料体系的热弛豫系数(Q th),从而定量分析激发载流子的弛豫速率,同时阐述了PBE和量子点中常见的俄歇复合之间的...
所有含有机阳离子的PQD的初始快速冷却阶段(<1 ps)的寿命都比 CsPbI3 QD的短,这已通过从温度相关的光致发光光谱中提取的电子-声子耦合强度得到验证。在大于1个太阳的光照下,合金PQD的缓慢冷却阶段的寿命更长,这归因于在合金PQD中引入了共振光学声子模式。这促进了有效的声子上转换并增强了热声子瓶颈效应,如第一...