热ALD设备是一种基于化学气相沉积技术的薄膜制备设备。其原理是通过在基底表面依次沉积多种原子层,形成具有高度均匀性和精准厚度控制的薄膜。相比于传统的物理气相沉积技术,热ALD设备具有以下优势: 1. 高度均匀性:热ALD设备可以在基底表面形成均匀、致密...
本发明公开了一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法,属于半导体制备技术领域.本发明采用了具有式I结构的Ge源和具有式Ⅱ结构的Te源,将其应用在热原子层沉积技术(TALD)中,使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的GeTe沉积层.并且,采用本发明中的方法制得的沉积态GeTe合金薄膜的电阻更高即纯度更高...
40热原子层沉积技术制备的 TiAlC 薄膜的性能杨永亮,张泓筠,李娜(凯里学院物理与电子工程学院,贵州 凯里 556011)[摘要] 为了解以热原子层沉积技术制备的 TiAlC 薄膜的特性,在不同基底温度下,以硅和二氧化硅为基底材料制备了 TiAlC 薄膜;采用椭偏仪、分光光度计、X 射线光电子能谱、原子力显微镜、X 射线衍射仪对...
为了解决上述至少一个技术问题,本发明提供一种热原子层沉积技术ald生长cosix薄膜的方法,包括以下步骤:[0011]步骤一:将半导体衬底置于反应腔中,在真空且载气存在的条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气相co源进行沉积,得到沉积有co源的衬底;[0012]步骤二:向反应腔中充入惰性气体对沉积有co源的衬底进行吹扫;[0013]...
摘要: 在Si和SiO2基底上,采用热原子层沉积技术,以四(二甲基氨基)钛(Ti(N (CH3)2)4)和三甲基铝(Al (CH3)3)为前驱体,制备TiAlCN薄膜.测试结果表明,随着基底温度的升高,膜层的沉积速率升高,电阻率降低,光学带隙由3.45 eV降低到2.00 eV,并在基底温度为300和350℃时出现了双吸收边;... 查看全部>> ...
本发明提供了一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法,包括以下步骤:1)将半导体衬底置于反应腔中,在真空且载气存在的条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气相Co源进行沉积,得到沉积有Co源的衬底;2)向反应腔中充入惰性气体对沉积有Co源的衬底进行吹扫;3)在载气存在的条件下,以脉冲形式向反应腔通入硅源,所述硅源...
一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法说明:本发明提供了一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法,包括以下步骤:1)将半导体衬底...专利查询请上爱企查
摘要 本发明公开了一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法,属于半导体制备技术领域。本发明采用了具有式I结构的Ge源和具有式Ⅱ结构的Te源,将其应用在热原子层沉积技术(T‑ALD)中,使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的GeTe沉积层。并且,采用本发明中的方法制得的沉积态GeTe合金薄膜的电阻更高...
Forge Nano 专注于粉末原子层沉积技术(PALD),凭借其专有的 Atomic Armor™ 技术,能够使产品开发人员设计任何材料直至单个原子。Atomic Armor™ 工艺生产的卓越表面涂层使合作伙伴能够释放材料的较佳性能,实现延长寿命、提高安全性、降低成本和优化产品的功能。其科学家团队与广泛的商业合作伙伴合作开发定制解决方案,能...
金融界2024年12月14日消息，国家知识产权局信息显示，株洲三一硅能技术有限公司取得一项名为“一种原子层沉积设备”的专利，授权公告号 CN 222139261 U，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请涉及一种原子层沉积设备，涉及薄膜沉积技术领域，该原子层沉积包括炉体、推舟机构以及隔热装置，炉体设有反应室，反应...